Für Automotive-Anwendungen gibt es von DIODES einer Serie von Power-MOSFETs im TO-Leadless-Gehäuse. Mit einer um 50% größeren Lötkontaktfläche als beim TO263 hat das TO-LL-Gehäuse eine thermische Impedanz zwischen Sperrschicht und Gehäuse von 0,65 °C/W.

Neben dem (H)EV-Batterie-Management eignen sich die AURIX-Controller von Infineon auch zur Antriebs- & Hydraulikregelung, Kupplungssteuerung, für das Safety- & Security-Management u.a.m. Die MCU-Generation TC4x soll helfen, die Marktposition bei Automotive-Halbleitern weiter auszubauen.

Um aktuelle Effizienzvorgaben wie etwa 80 PLUS Titanium zu erfüllen, entwickelte onsemi drei entsprechend optimierte MOSFET-Varianten der 600-V-SUPERFET-V-Reihe mit der Bezeichnung FAST, Easy Drive und FRET.

Zu den Dual-IGBT-Modulen LV100 und HV100 von Mitsubishi offeriert der Technologie-Distributor HY-LINE jetzt auch die geeigneten Treiberbausteine von Power Integrations.

Für das Laden von Elektrofahrzeugen hat der italienische Hersteller alpitronic ein wandmontierbares 50-kW-DC-Ladegerät (HYC50) auf den Markt gebracht. Basis sind die neuen SiC-Power-Module MOSFET 1B und 2B in Kombination mit dem EiceDRIVER X3 von Infineon.

Efficient Power Conversion (EPC) erweitert die ePower-Serie mit einem Chip-Satz, der 100-V-GaN-Treiber und FET mit bis zu 65 A integriert. Ergebnis ist eine höhere Performance bei kleinerer Baugröße für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte, einschließlich DC/DC-Wandler und Motorantriebe.

„Die Nachfrage nach einer Second Source für Halbleiter wird unabhängig von Krisen zunehmen“, sagt Stefan Angele, Geschäftsführer von Systemtechnik LEBER, und nennt als Gründe ein kürzere Produktlebensdauer und vermehrte Bauteilabkündigungen. Bei der Suche nach Bauteilalternativen bietet sein Entwickler-Team Unterstützung an.

Für ein schnelles Schalten mit z.B. GaN-Devices bei niedrigen Verlusten ist die Gate-Treiberstärke von besonderer Bedeutung. Deshalb hat dieser 200-V-Einkanal-Gate-Treiber wählbare Treiberstärken und verzichtet auf externe Gate-Widerstände. Er ist für GaN-SG-HEMTs und Si-MOSFET optimiert.

Gegenüber dem Drain-Source-Gehäusekonzept als Industriestandard ist im Source-Down-Gehäuse der Silizium-Die umgedreht, sodass sein Source-Anschluss mit dem Wärmeleit-Pad des Gehäuses verbunden werden kann. Das erlaubt ein größeres Silizium-Die, senkt den RDS(on) und verbessert die thermische Leistung.

Mit dem MOTIX-Kit zur Ansteuerung von 12-V-Elektromotoren offeriert Infineon ihre Systemlösung zum Ausprobieren, vormontiert mit allem, was zur Evaluierung nötig ist.