„Die Nachfrage nach einer Second Source für Halbleiter wird unabhängig von Krisen zunehmen“, sagt Stefan Angele, Geschäftsführer von Systemtechnik LEBER, und nennt als Gründe ein kürzere Produktlebensdauer und vermehrte Bauteilabkündigungen. Bei der Suche nach Bauteilalternativen bietet sein Entwickler-Team Unterstützung an.

Neben dem (H)EV-Batterie-Management eignen sich die AURIX-Controller von Infineon auch zur Antriebs- & Hydraulikregelung, Kupplungssteuerung, für das Safety- & Security-Management u.a.m. Die MCU-Generation TC4x soll helfen, die Marktposition bei Automotive-Halbleitern weiter auszubauen.

Für das Laden von Elektrofahrzeugen hat der italienische Hersteller alpitronic ein wandmontierbares 50-kW-DC-Ladegerät (HYC50) auf den Markt gebracht. Basis sind die neuen SiC-Power-Module MOSFET 1B und 2B in Kombination mit dem EiceDRIVER X3 von Infineon.

Mit der SMD-Baustein-Serie BM2P06xMF-Z (bestehend aus BM2P060MF-Z, BM2P061MF-Z und BM2P063MF-Z) bringt ROHM drei AC/DC-Sperrwandler-ICs mit integriertem 730-V-MOSFET auf den Markt. Sie eignen sich für Hilfsstromversorgungen und Schaltnetzteile in Industrie-Antrieben und Haushaltsgeräten.

Um Dienstleistungen und Support für die globale EDA-Gemeinschaft anzubieten, haben FlowCAD und EMA Design Automation ihre enge Kooperation vereinbart. Dadurch erweitern sie das nutzbare PCB-Tool-Angebot für eine stets globalere Entwicklerschaft.

Ziel neuer Fertigungsstätten von TANAKA Denshi Kogyo in China und Taiwan für Aluminium- und Kupfer-Bonddrähte ist eine Verdreifachung (AI) bzw. beinahe Verdopplung (Cu) der Produkte, um die weiter steigende globale Nachfrage nach Leistungshalbleitern zu ermöglichen.

Neben dem (H)EV-Batterie-Management eignen sich die AURIX-Controller von Infineon auch zur Antriebs- & Hydraulikregelung, Kupplungssteuerung, für das Safety- & Security-Management u.a.m. Die MCU-Generation TC4x soll helfen, die Marktposition bei Automotive-Halbleitern weiter auszubauen.

Um in der E-Mobilität voranzukommen, ist insbesondere in der Batterieherstellung noch viel Forschungsarbeit zu leisten. Denn bisher kommen laut BMBF die meisten Batterien aus Asien, während nicht eine einzige Batteriezelle der heutigen E-Autos in Deutschland produziert werde. Daher sei es wichtig, exzellente Forschung und Produktion zusammenzubringen. Digitalisierung und Industrie 4.0 sollen helfen.

Gegenüber dem Drain-Source-Gehäusekonzept als Industriestandard ist im Source-Down-Gehäuse der Silizium-Die umgedreht, sodass sein Source-Anschluss mit dem Wärmeleit-Pad des Gehäuses verbunden werden kann. Das erlaubt ein größeres Silizium-Dies, senkt den RDS(on) und verbessert die thermische Leistung.

Warum gibt es keinen Ratgeber, der beschreibt, welches IGBT-Modul für welche Schaltungstopologie und bestimmte Lastwerte geeignet ist? Der Artikel erklärt warum und gibt Empfehlungen zur IGBT-Auswahl.

Daniel H. aus S. wüsste gerne: „Warum schlägt mein Upgrade-Versuch fehlt? Ich will lediglich durch ein baugleiches aber leistungsstärkeres Bauteil mehr Performance der Schaltung erreichen.

Je nach benötigter Leistung lässt sich das hier beschriebene Umrichtersystem aus geprüften Standard-Komponenten skalieren. Basis ist eine IGBT-Halbbrücke in diversen Strom- und Spannungsklassen.

Für ausfallsichere Anwendungen bevorzugen Entwickler gern erprobte Leistungshalbleiter. Hohe Zuverlässigkeit ist auch mit GaN-Devices möglich. Transphorm skizziert die Testszenarien für ihre GaN-Kaskode TP65H035WSQA.

EPC9166 ist ein ein 500-W-DC/DC-Demo-Board, das einen 12-V-Eingang in einen 48-V-Ausgang umsetzt und den synchronen 80-V-/2-Phasen-Aufwärtswandler ISL81807 von Renesas mit dem eGaN-FET EPC2218 von EPC nutzt.

Um aktuelle Effizienzvorgaben wie etwa 80 PLUS Titanium zu erfüllen, entwickelte onsemi drei entsprechend optimierte MOSFET-Varianten der 600-V-SUPERFET-V-Reihe mit der Bezeichnung FAST, Easy Drive und FRET.

Efficient Power Conversion (EPC) erweitert die ePower-Serie mit einem Chip-Satz, der 100-V-GaN-Treiber und FET mit bis zu 65 A integriert. Ergebnis ist eine höhere Performance bei kleinerer Baugröße für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte, einschließlich DC/DC-Wandler und Motorantriebe.

Efficient Power Conversion (EPC) erweitert die ePower-Serie mit einem Chip-Satz, der 100-V-GaN-Treiber und FET mit bis zu 65 A integriert. Ergebnis ist eine höhere Performance bei kleinerer Baugröße für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte, einschließlich DC/DC-Wandler und Motorantriebe.

STMicroelectronics stellt das erste PowerGaN-Produkt für energieeffizientere, schlankere Stromversorgungen vor und kündigt für 2022 weitere GaN-Neuentwicklungen an.

Für das Laden von Elektrofahrzeugen hat der italienische Hersteller alpitronic ein wandmontierbares 50-kW-DC-Ladegerät (HYC50) auf den Markt gebracht. Basis sind die neuen SiC-Power-Module MOSFET 1B und 2B in Kombination mit dem EiceDRIVER X3 von Infineon.

Um in der E-Mobilität voranzukommen, ist insbesondere in der Batterieherstellung noch viel Forschungsarbeit zu leisten. Denn bisher kommen laut BMBF die meisten Batterien aus Asien, während nicht eine einzige Batteriezelle der heutigen E-Autos in Deutschland produziert werde. Daher sei es wichtig, exzellente Forschung und Produktion zusammenzubringen. Digitalisierung und Industrie 4.0 sollen helfen.

Delta hat neue Motorsteuerungsalgorithmen programmiert und die Rechenleistung des Antriebs erhöht.

Es gibt jetzt eine weitere Winning Combination, wie Renesas ihre optimierten Chip-Kombinationen nennt, die den RA6T2-Mikrocontroller mit dem aktuellen programmierbaren Smart-Gate-Treiber RAA227063 verbindet. Dieses Chip-Paar ist für weitere BLDC-Motorantriebe vorgesehen.

Die neue Gruppe der RA6T2-Mikrocontroller umfasst zwanzig MCUs in fünf Gehäuseausführungen zur Motoransterung, etwa in der Gebäudeautomation und in generellen Industrieanwendungen.

In servohydraulischen Anwendungen kann es bei langen Haltezeiten von hohen Drücken mit geringem Durchfluss zur thermischen Überlast kommen. Eine Monitoring-Software verhindert das.

In kleinen tragbaren Batterien bis hin zu großen Lithium-Ionen-Akkus für Elektrofahrzeuge oder Backup-Systeme: Die Anforderungen an automatisierte Prüfsysteme sind unterschiedlich. Drei Beispiele für den Einsatz von Messhardware beim Akkutest.

Gerade in der Leistungselektronik ist der maximale Stromfluss im MOSFET oder IGBT wichtig für die Zuverlässigkeit. Gestresste Bauteile können Frühausfälle oder Fehlfunktion verursachen.

Gleich mehrere Trends der jüngsten Vergangenheit hatten starken Einfluss auf den PCB-Entwurf von Stromversorgungen. Nur mit Software-technischer Raffinesse kommen heute komplexe PCB-Layout-Fehler frühzeitig ans Licht.

Wie kann die Lithium-Ionen-Batterie (LIB) weiter verbessert werden? Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler vom Münster Electrochemical Energy Technology (MEET) der Westfälischen Wilhelms-Universität Münster (WWU) entwickelten dafür neue Verfahren für die Kapillarelektrophorese.