In Kombination des neuen TMR-basierten Winkelsensors iC-TW39 mit dem universellen Hall-Sensor iC-PVS ermöglicht iC-Haus nun flexibel skalierbare Systemlösungen, um in der magnetischen On- und Off-Axis-Sensorik neue Vorgaben erfüllen.

Mit seinen neuen Stellar-E-MCUs will STMicroelectronics den Aufbau zentralisierter Architekturen in Elektroautos erleichtern. Die E-Serie ist auf das Steuern von Leistungsmodulen spezialisiert und per OTA-Update aktualisierbar.

Zwei weitere Drehgeber-Typen zum Einsatz mit Industrial Ethernet gibt es von SIKO. Damit reagiert der Hersteller auf Anwenderanforderungen hinsichtlich neuer Maschinenkonzepte und Industrie 4.0.

Vier neue MOSFETs von Toshiba verringern im Vergleich zur vorherigen DTMOS-Generation die Kennzahl (FoM) Drain-Source-Durchlasswiderstand x Gate-Drain-Ladung um 40%.

Die CoolSiC-MOSFETs (650 V) in D²PAK mit .XT-Verbindungstechnologie bieten ein verbessertes Schaltverhalten bei höheren Strömen.

Ein Referenz-Design der nächsten Generation für drahtlose Kfz-Ladesysteme gibt es von Renesas unter der Bezeichnung MP-A13.

Ob Wechselrichter, AC-Servos oder Hausgeräte und Konsumprodukte, die Leistungshalbleiter der Serie BM2P06xMF-Z verzichten auf Kühler und zusätzliche passive Komponenten. Alles Nötige ist integriert.

Mit Low Pressure Moulding lassen sich elektronische Bauteile schonend und sicher vor schädlichen Einflüssen schützen. Leistungselektronik-Spezialist Miltronik berichtet über gute Erfahrungen.

Erweiterte elektrothermische Modelle von Nexperia decken den gesamten MOSFET-Betriebstemperaturbereich ab und ermöglichen EMV-Untersuchung vor dem Prototyping.

Die Wurzeln der heutigen SiCrystal reichen bis in das Jahr 1994: Im Rahmen von öffentlich geförderten Forschungs- und Entwicklungsprojekten wurden an der Uni Erlangen die technologischen Grundlagen zum Herstellungsprozess von Siliziumkarbid-Volumenkristallen erarbeitet. Basierend auf den Ergebnissen folgte 1997 die Gründung der SiCrystal.