Power-MOSFET Schaltverluste weiter reduziert

Von Gerd Kucera

Vier neue MOSFETs von Toshiba verringern im Vergleich zur vorherigen DTMOS-Generation die Kennzahl (FoM) Drain-Source-Durchlasswiderstand x Gate-Drain-Ladung um 40%.

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(Bild: Toshiba Electronics Europe)

Seine DTMOSVI-Serie hat Toshiba um vier weitere n-Kanal-SJ-MOSFETs (650 V) erweitert. Diese neuen Bausteine werden hauptsächlich in Anwendungen wie Industrie- und Beleuchtungsstromversorgungen sowie anderen Anwendungen eingesetzt, in denen höchste Effizienz bei kleinem Formfaktor gefordert ist. Die TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z und TK190E65Z verringern laut Toshiba im Vergleich zur vorherigen DTMOS-Generation die Kennzahl FOM um 40%. Dies führe zu erheblich geringeren Schaltverlusten gegenüber früheren Bauelementen. Designs, die mit den neuen MOSFETs ausgestattet sind, werden damit wesentlich effizienter. Die Leistungsverbesserung gilt sowohl für neue Designs als auch für Upgrades bestehender Designs. Alle vier neuen Bausteine bieten eine Drain-Source-Spannung von 650 V mit einem Drain-Strom bis zu 30 A. Der Drain-Source-Durchlasswiderstand (RDSon) beträgt 0,09 Ω und die Gate-Drain-Ladung (Qgd) kann bis zu 7,1nC betragen, was einen verlustarmen Betrieb bei hohen Schalt-Geschwindigkeiten ermöglicht, betont Toshiba. Alle Bauelemente werden im TO-220-Gehäuse für die Durchsteckmontage ausgeliefert.

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