SIC-MOSFET 80% niedrigere Q_rr/Q_oss-Ladung

Die CoolSiC-MOSFETs (650 V) in D²PAK mit .XT-Verbindungstechnologie bieten ein verbessertes Schaltverhalten bei höheren Strömen.

Die neuen CoolSiC-Produkte bieten laut Infineon nicht nur ein verbessertes Schaltverhalten bei höheren Strömen, sondern auch die Reverse-Recovery- und die Drain-Source-Ladung der 650-V-MOSFETs haben bessere Werte: sie sind um 80% niedriger als bei der besten Silizium-Referenz, sagt Infineon. Die reduzierten Schaltverluste ermöglichen Hochfrequenzbetrieb bei kleineren Systemgrößen und damit eine höhere Effizienz und Leistungsdichte. Die Trench-Technologie ist die Grundlage für die hohe Zuverlässigkeit des Gate-Oxids. Zusammen mit einer verbesserten Avalanche- und Kurzschluss-Robustheit sorge dies für bestmögliche Zuverlässigkeit des Systems. Die SiC-MOSFETs eignen sich für Topologien mit wiederholter harter Kommutierung sowie für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen. Aufgrund eines sehr niedrigen Einschaltwiderstands in Abhängigkeit von der Temperatur bieten die Bauteile ein ausgezeichnetes thermisches Verhalten. Mit u.a. einem weiten Gate-Source-Spannungsbereich (-5 bis 23 V) und einer Gate-Source-Schwellenspannung von mehr als 4 V seien die Bausteine auch mit Standard-MOSFET-Gate-Treiber-ICs nutzbar.

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