Design-in Modelle für MOSFET-Simulation

Von Gerd Kucera

Erweiterte elektrothermische Modelle von Nexperia decken den gesamten MOSFET-Betriebstemperaturbereich ab und ermöglichen EMV-Untersuchung vor dem Prototyping.

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(Bild: Nexperia)

Verbesserte elektrothermische Modelle für seine MOSFETs stellt Nexperia vor. Halbleiterhersteller stellen üblicherweise Simulationsmodelle für ihre MOSFETs bereit, die in der Regel nur eine begrenzte Anzahl von Bauteilparametern enthalten, konstatiert Nexperia. Dies seien bei typischen Betriebstemperaturen modelliert wurden. Die neuen Modelle von Nexperia erfassen die thermische Abhängigkeit des vollständigen Satzes von Bauteilparametern über den gesamten Betriebstemperaturbereich von -55 bis 175 °C. Durch Einbeziehen der Sperrdioden-Erholungszeit und der EMV in diese erweiterten Modelle werde die Gesamtgenauigkeit weiter verbessert. Entwickler könnten damit genaue Simulationen auf Schaltungs- und Systemebene erstellen und die elektrische, thermische und EMV-Leistungsfähigkeit bewerten, bevor sie mit dem Bau eines Prototyps beginnen. Die Modelle sollen Zeit und Ressourcen sparen: Entwickler, die bisher sicherstellen mussten, dass ihre Entwürfe unter Worst-Case-Bedingungen funktionieren, können ihre Designs nun in bestimmten Temperaturbereichen simulieren.

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