Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter, aktuell Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC), erobern zunehmend anspruchsvolle Anwendungen. Etwa in Photovoltaik-Wechselrichtern zeigen sie ein immenses Leistungspotential. Die Forschung läuft auf Hochtoren, um letzte Hürden, etwa zur Zuverlässigkeit und Robustheit, zu nehmen.
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