Robuste, diskrete 600-V-IGBTs sind bis 175 Grad qualifiziert

Hohe Effizienz in Leistungsanwendungen Robuste, diskrete 600-V-IGBTs sind bis 175 Grad qualifiziert

11.07.2023 Quelle: Pressemitteilung Lesedauer: 1 min

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Mit einem neuen, diskreten 600-V-IGBT reagiert Nexperia auf die wachsende Nachfrage nach effizienten Hochspannungs-Bauelementen mit unterschiedlichen Leistungs- und Kostenanforderungen. Der Baustein ermöglicht eine hohe Leistungsdichte in Leistungsumwandlungs- und Motorantriebsanwendungen.

Bis 175°C spezifiziert: Der diskrete 600-V-IGBT 30-A-NGW30T60M3DF von Nexperia im TO-247-Gehäuse.
(Bild: Nexperia)

Der neue 600-V-IGBT 30-A-NGW30T60M3DF von Nexperia zeichnet sich durch eine robuste, kosteneffiziente, trägergespeicherte Trench-Gate-Konstruktion mit fortschrittlichem Field-Stop (FS) aus. Diese bietet eine außergewöhnlich niedrige Leitungs- und Schaltverlustleistung mit hoher Robustheit bei Betriebstemperaturen von bis zu 175 °C. Damit verbessert das Bauteil die Effizienz und Zuverlässigkeit von Wechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV), Photovoltaik-Strings, EV-Ladevorgängen, Induktionsheizungen, Schweißgeräten und industriellen Anwendungen, beispielsweise industrielle Motorantriebe wie Servomotoren von 5 bis 20 kW (20 kHz), Servos, Robotik, Aufzüge, Greifer und Inline-Fertigung.

Entwickler können zwischen den IGBTs der Serien Medium Speed (M3) und High Speed (H3) wählen. Diese IGBTs wurden mit einer sehr engen Parameterverteilung entwickelt, so dass mehrere Bausteine sicher parallelgeschaltet werden können. Darüber hinaus können sie aufgrund ihres geringen Wärmewiderstands eine hohe Ausgangsleistung liefern. Diese IGBTs sind als soft fast reverse-recovery Dioden ausgelegt. Das bedeutet, dass sie sich für Gleichrichter- und bidirektionale Schaltungsanwendungen oder zum Schutz vor Überstrombedingungen eignen.

Diese IGBTs sind in einem Standard-TO247-3L-Gehäuse erhältlich und für HV-H3TRB für Außenanwendungen qualifiziert. Laut eigenen Angaben plant Nexperia, dieser Version eine Serie von 1200-V-IGBTs folgen zu lassen. (cg)

Mittels Schiebereglern können Entwickler in den interaktiven Datenblättern von Nexperia die Parameter ihrer Anwendungsschaltung einstellen und die Auswirkungen auf das Bausteinverhalten direkt ablesen. (Bild: Nexperia)

Zankapfel: 2021 hatte Nexperia die Newport Wafer Fab (NWF) in Wales gekauft – samt ihrer GaN-on-Si-Technologie. Ende 2022 meldete die britische Regierung, dass dadurch nationale Sicherheitsinteressen bedroht sein könnten und forderte Nexperia auf, mindestens 86 Prozent der Anteile wieder zu verkaufen. (Bild: Nexperia)

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