Leistungselektronik
Effizient entwickeln mit der Dynamic Characterization Platform
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Hochspannungs-MOSFETs und -Dioden aus Siliziumkarbid haben hohe Schaltgeschwindigkeiten und sehr geringe Schaltverluste. SiC-MOSFETs sind zwar einfach anzusteuern, aber Entwickler sollten bestimmten Aspekten besondere Aufmerksamkeit schenken.
Auf genaues Messen kommt es an. MOSFETs und -Dioden aus Siliziumkarbid können im Vergleich zu herkömmlichen Leistungswandlern mit Silizium-Bauelementen bei höheren Frequenzen betrieben werden. Höhere Betriebsfrequenzen und sehr niedrige Schalt- und Leitungsverluste führen zu zahlreichen Optimierungsmöglichkeiten auf Systemebene. Kleinere Magnete und einfachere Entwürfe für das Wärmemanagement sind nur zwei Argumente, die zu niedrigeren Gesamtsystemkosten führen.
Um gute Bauelement-Charakteristiken optimal zu nutzen und die Vorteile dieser schnell schaltenden Bauelemente voll auszuschöpfen, hilft die Dynamic Characterization Platform von Littelfuse. Laden Sie dieses Whitepaper herunter und erfahren Sie mehr.
Im Whitepaper erfahren Sie Details zu:
- Allen Schlüsselkomponenten und Konnektoren wie DC-Link-Kondensator, Entkopplungskondensator und strombeobachtender Shunt-Widerstand (Rshunt)
- Gate-Drive-Schleife und Power-Loop-Design
- Definitionen von Konnektoren
- Auswahl der Lastinduktivität
- Nachbearbeitung von Testdaten
Anbieter des Whitepapers
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