Der Prüfaufbau zum Test von IGBT-Modulen ist nicht trivial. In Test-Adaptionen für Hochleistungs-Halbleiter sind zum Beispiel Federkontakte mit speziellem Aufbau empfehlenswert.

Steven Shackell, Director Supplier Management bei Arrow Electronics, im Gespräch mit Johann Wiesböck, Chefredakteur ELEKTRONIKPRAXIS, über Silizium, SiC & GaN auf der PCIM 2022.

Moderne Kfz-Infotainmentsysteme stellen hohe Anforderungen an die Stromversorgung. Worauf es dabei ankommt, erfahren Sie hier am Beispiel eines geprüften Power-Management-Referenzdesigns.

Von Hugo G. aus H. kommt die Frage: Was macht es für einen Unterschied, ob ich einen IGBT mit Freilaufdiode oder einen MOSFET mit Bodydiode in meiner Schaltung einsetze? Dazu antwortet Dr. Martin Schulz:

Über den stabilen Betrieb von GaN-Leistungstransistoren entscheidet auch der dynamische Durchlasswiderstand RDS(on). Doch ist es nicht trivial, ihn mit ausreichender Auflösung konsistent zu messen.

Der dynamische Durchlasswiderstand (RDS(ON)) entscheidet über den stabilen Betrieb von GaN-Leistungstransistoren. Allerdings lässt er sich schwer mit ausreichender Auflösung konsistent messen.

Im Artikel geht es um Schäden an Elektronik-Baugruppen auf der Leiterplatte, die durch Überhitzung entstehen. Als mögliche Ursachen kommen Materialfehler genauso in Betracht wie das Nichtbeachten der Einsatzgrenzen von Material und Komponenten oder negative Einflüsse von Produktionsschritten wie das Löten.

Laut einer aktuellen Studie des Marktforschungsunternehmens Interact Analysis wird der Weltmarkt für Antriebssteuerungen in diesem Jahr auf knapp 17,2 Milliarden Euro wachsen – eine Zunahme um 6,8 Prozent gegenüber 2022. Für 2024 rechnen die Marktforscher mit einem Rückgang des globalen Wachstums, das sich aber mittel- bis langfristig wieder erholen dürfte.

Nicht nur in Bahnanwendungen sondern auch als industrielle Niedervoltversion bieten die Leistungshalbleitermodule von Mitsubishi Electric im LV100-Gehäuse entscheidende Vorteile.

Für mehr als 2 Mrd. Euro baut Infineon eine neue Frontend-Fertigung für Verbindungshalbleiter in Kulim, Malaysia. Damit will der Konzern seine Führungsposition im Wachstumsmarkt Leistungshalbleiter stärken. 2024 sollen erste Wafer die Produktion verlassen.