Halbleiter-Relais mit Opto-MOSFET: maximaler Durchlassstrom 30 mA, Einschaltstrom 50 mA, Ausschaltstrom 100 nA.  (Toshiba)
Automotive

Halbleiter-Relais für das EV-Batterie-Management

Der Baustein TLX9160T integriert eine Infrarot-Diode, die mit einem Foto-MOSFET in einem SO16L-T-Gehäuse gekoppelt ist. Dieser Hochspannungs-MOSFET zwischen den Ausgangsanschlüssen ist für eine Batteriespannung von 1000 V oder geringer in einer Umgebung mit Verschmutzungsgrad 2 ausgelegt. Die Kriechstrecke auf der Detektorseite ist 5 mm.

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