Mit den Power-MOSFETs OptiMOS 6 100 V will Infineon einen neuen Industriestandard für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz etablieren. Verbesserte Kennzahlen, einfacheres thermisches Design und erhöhte Leistungsdichte sind nach Herstellerangaben einige Charakteristika.

Die neue Gruppe der RA6T2-Mikrocontroller umfasst zwanzig MCUs in fünf Gehäuseausführungen zur Motoransterung, etwa in der Gebäudeautomation und in generellen Industrieanwendungen.

Es gibt jetzt eine weitere Winning Combination, wie Renesas ihre optimierten Chip-Kombinationen nennt, die den RA6T2-Mikrocontroller mit dem aktuellen programmierbaren Smart-Gate-Treiber RAA227063 verbindet. Dieses Chip-Paar ist für weitere BLDC-Motorantriebe vorgesehen.

Der Solution Simulator ermöglicht Design-Analysen mit SiC-Halbleitern, Treiber-/Netzteil-ICs und passiven Komponenten von ROHM. Jetzt hilft eine neue Funktion bei der thermischen Analyse.

Für Elektro- und Nutzfahrzeuge sowie erneuerbare Energien gibt es ein SiC-Power-Stack-Referenz-Design von Mersen mit SiC-MOSFETs und digitale Gate-Treiber von Microchip.

Daniel H. aus S. wüsste gerne: „Warum schlägt mein Upgrade-Versuch fehlt? Ich will lediglich durch ein baugleiches aber leistungsstärkeres Bauteil mehr Performance der Schaltung erreichen.

Im Projekt ALBATROS entwickelt ein Konsortium aus Forschung und Industrie die Aluminium-Ionen-Batterie (AIB) weiter. Besonders im Fokus: die Abläufe in der Batteriezelle und an den Grenzflächen zwischen Elektroden und Elektrolyt.

Um in der E-Mobilität voranzukommen, ist insbesondere in der Batterieherstellung noch viel Forschungsarbeit zu leisten. Denn bisher kommen laut BMBF die meisten Batterien aus Asien, während nicht eine einzige Batteriezelle der heutigen E-Autos in Deutschland produziert werde. Daher sei es wichtig, exzellente Forschung und Produktion zusammenzubringen. Digitalisierung und Industrie 4.0 sollen helfen.

STMicroelectronics stellt das erste PowerGaN-Produkt für energieeffizientere, schlankere Stromversorgungen vor und kündigt für 2022 weitere GaN-Neuentwicklungen an.

Mit der SMD-Baustein-Serie BM2P06xMF-Z (bestehend aus BM2P060MF-Z, BM2P061MF-Z und BM2P063MF-Z) bringt ROHM drei AC/DC-Sperrwandler-ICs mit integriertem 730-V-MOSFET auf den Markt. Sie eignen sich für Hilfsstromversorgungen und Schaltnetzteile in Industrie-Antrieben und Haushaltsgeräten.