Power-MOSFETs OptiMOS 6 für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz

Von Gerd Kucera

Mit den Power-MOSFETs OptiMOS 6 100 V will Infineon einen neuen Industriestandard für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz etablieren. Verbesserte Kennzahlen, einfacheres thermisches Design und erhöhte Leistungsdichte sind nach Herstellerangaben einige Charakteristika.

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Die MOSFET-Familie OptiMOS6 100 V nutzt ein neuartiges Design-Konzept und zeichnet sich durch einen verbesserten RDS(on) und die laut Infineon branchenweit besten Kennzahlen aus.
Die MOSFET-Familie OptiMOS6 100 V nutzt ein neuartiges Design-Konzept und zeichnet sich durch einen verbesserten RDS(on) und die laut Infineon branchenweit besten Kennzahlen aus.
(Bild: Infineon)

Bei modernen Schaltnetzteilen (SMPS) und batteriebetriebenen Anwendungen gibt es nach Mitteilung von Infineon einen klaren Trend zu höherer Effizienz und verbesserter Zuverlässigkeit. Um diesen Trend zu entsprechen, wurden die Power-MOSFETs OptiMOS 6 100 V entwickelt. Ihre neue Technologie ist speziell für Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen (etwa Telekommunikation, Photovoltaik) optimiert, so Infineon, und auch aufgrund des industrieweit besten RDS(on) und des größeren sicheren Betriebsbereichs (SOA) auch bestens für batteriebetriebene Anwendungen und Batterie-Management-Systeme geeignet.

Ein einfacheres thermisches Design

Was Infineon im Detail mit neuer Technologie meint, wurde nicht mitgeteilt. Doch nutze die MOSFET-Familie ein neues Schaltungskonzept und zeichne sich so durch einen verbesserten RDS(on) sowie die branchenweit besten Kennzahlen aus. Die Eigenschaften von OptiMOS 6 ermöglichten ein einfacheres thermisches Design und weniger Parallelisierung, was zu einem hohen Wirkungsgrad, einer verbesserten Leistungsdichte (bis 15%), einer Reduzierung der Systemkosten und auch zu einer längeren Lebensdauer führe.

Insbesondere für die Telekommunikation sei der OptiMOS-6-MOSFET ein Game-Changer, da er im Vergleich zum aktuellen OptiMOS 5 einen um 18% niedrigeren RDS(on) und eine Verbesserung des FOMs (RDS(on) x Qg und Qgd) um mehr als 30% erreiche. In einem 600-W-ZVS-Buck-Boost-Wandler (36 bis 60 V auf 12 V) erziele OptiMOS 6 im SuperSO8-Gehäuse mit 2,2 mΩ einen um bis ein Prozent höheren Wirkungsgrad über den gesamten Lastbereich als OptiMOS 5 BSC027N10NS5 (2,7 mΩ). Dies führe zu einer um 7 W geringeren Verlustleistung, betont Infineon. Zu den wichtigsten Vorteilen gehört auch, dass die neue Technologie im 100-V-Bereich geringere Leitungs- und Schaltverluste zulässt und die Notwendigkeit der Parallelschaltung von Bauteilen minimiert.

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