Enge Toleranzen für die Stromversorgung bei CPU-, DDR- und FPGA-Komponenten überfordern viele Oszilloskope und Tastköpfe. Abhilfe versprechen die Power-Rail-Tastköpfe von Rohde & Schwarz.

Mit rund 1,4 Milliarden Euro will der Technologiekonzern Bosch die ASIC-Fertigung von TSI Semiconductor auf Siliziumkarbid-Chips umstellen und bis Ende 2030 sein weltweites Angebot an SiC-Halbleitern signifikant erweitern. Die Fabrik in Roseville wäre nach Reutlingen der zweite Fertigungsstandort von Bosch für die zukunftsträchtigen Leistungshalbleiter.

Lösungen für die EV-Ladeinfrastruktur, Photovoltaik und elektrische Antriebstechnik sind drei große Standbeine von Delta Electronics. Hierzu zeigte der Konzern (Hauptsitz Taipeh, Taiwan) kürzlich auf der HMI seine Neuerungen.

Das Portfolio der integrierten AC/DC-Schaltnetzteil-ICs für 800 und 950 V Durchbruchspannung (fünfte Generation) wurde erweitert: Es gibt jetzt das erste Bauteil, das einen Avalanche-robusten SJ-MOSFET mit einer Durchbruchspannung von 950 V nutzt.

Weil die Konstruktion und Herstellung von Motoren, etwa für die Medizintechnik, fundiertes Wissen und ein genaues Verständnis der Anforderungen verlangt, will Antriebhersteller Portescap mit ihrer „Voice of the Customer“-Forschung sicher stellen, dass die Standard-Produktplattform genau auf die Bedürfnisse abgestimmt ist – und dies, bevor die kundenspezifischen Anpassungen beginnen.

Der Prüfaufbau zum Test von IGBT-Modulen ist nicht trivial. In Test-Adaptionen für Hochleistungs-Halbleiter sind zum Beispiel Federkontakte mit speziellem Aufbau empfehlenswert.

Steven Shackell, Director Supplier Management bei Arrow Electronics, im Gespräch mit Johann Wiesböck, Chefredakteur ELEKTRONIKPRAXIS, über Silizium, SiC & GaN auf der PCIM 2022.

Moderne Kfz-Infotainmentsysteme stellen hohe Anforderungen an die Stromversorgung. Worauf es dabei ankommt, erfahren Sie hier am Beispiel eines geprüften Power-Management-Referenzdesigns.

Von Hugo G. aus H. kommt die Frage: Was macht es für einen Unterschied, ob ich einen IGBT mit Freilaufdiode oder einen MOSFET mit Bodydiode in meiner Schaltung einsetze? Dazu antwortet Dr. Martin Schulz:

Über den stabilen Betrieb von GaN-Leistungstransistoren entscheidet auch der dynamische Durchlasswiderstand RDS(on). Doch ist es nicht trivial, ihn mit ausreichender Auflösung konsistent zu messen.