Galliumnitrid Halbleiter helfen in vielen Bereichen, die Effizienz von Technologie zu steigern. Um die Entwicklung von Stromversorgungssystemen für New-Energy-Vehicles (NEV) voranzutreiben, kooperieren nun ein Halbleiterhersteller und ein Unternehmen für Bordstromversorgungen. Diese betreiben nun in Shenzhen ein neues Forschungs- und Entwicklungslabor.

Infineon Technologies hat vor dem Bezirksgericht im Northern District of California (USA) eine Klage wegen einer Patentverletzung eingereicht. Im Detail geht es hier um eine von Infineon patentierte Galliumnitrid (GaN)-Technologie.

STMicroelectronics hat den Softwarealgorithmus STM32 ZeST (Zero Speed Full Torque) vorgestellt, der für den Betrieb auf STM32-Mikrocontrollern vorgesehen ist und sensorlosen Motoren die Fähigkeit verleiht, im Stillstand das volle Drehmoment zu entwickeln. Der Algorithmus ebnet damit den Weg zu einer bisher nicht erreichbaren Laufruhe und Vorhersagbarkeit und steht Kunden bereits zur Verfügung.

Ein neues Material für schnellere, energiesparende Halbleiterspeicher, effizientes 3D-Audio und ein innovativer Ansatz zur Krebsfrüherkennung: Für ihre Doktorarbeiten in der angewandten Forschung wurden am 28. Februar drei Nachwuchsforschende aus Dresden, Erlangen und Leipzig mit dem Hugo-Geiger-Preis ausgezeichnet. Ein Preis der jährlich durch das Bayerische Staatsministerium für Wirtschaft, Landesentwicklung und Energie (StMWi) und die Fraunhofer-Gesellschaft vergeben wird.

Kleiner, leistungsfähiger und zuverlässiger: Diese Forderungen an Kfz-Steuergeräte decken sich mit denen aus fast allen Märkten für elektronische Produkte. Erfüllen lassen sie sich mit neuen, effizienten Gehäusen für Leistungshalbleiter, die bei drastisch reduziertem Platzbedarf gleichzeitig eine bessere Kühlung ermöglichen.

Nachhaltigkeit ist in der Fertigung von Bauteilen und Herstellung von Elektronik ein heißes Thema. Um den CO₂-Fußabdruck in der Produktion zu reduzieren, hat ZF sein Werk für Leistungselektronik im tschechischen Klášterec zur Null-Emissionsfabrik umgebaut und neu eröffnet.

Um durch die GaN-Technologie einen höheren Systemwirkungsgrad zu erzielen und um die Implementierung von GaN-FETs zu vereinfachen wurden neue 100 V Halbbrücken-Treiber vorgestellt.

Die Einführung neuer Solid-State-Isolatoren, die auf einer innovativen kernlosen Transformatortechnologie basieren, ermöglichen eine schnellere und zuverlässigere Schaltung mit Schutzfunktionen, die über die Möglichkeiten von traditionellen, optisch basierten Solid-State-Relais (SSR) hinausgehen.

Die Leistungsaufnahme von KI-Beschleunigern ist enorm. Um für immer höhere Leistungsdichten in KI-Rechenzentren auch zukünftig die passenden Netzeile liefern zu können, wurden jetzt auf GaN und SiC Basis neue Leistungsplattformen vorgestellt, welche den Weg für KI der nächsten Generation ebnen.

In smarten Zeiten, in denen die Anforderungen an die Energieverteilung und -überwachung stetig steigen, wird die Notwendigkeit einer fortschrittlichen und flexiblen Infrastruktur immer deutlicher. Die zunehmende Digitalisierung und Netzinfrastruktur fordert innovative Lösungen, die nicht nur einen zuverlässigen Schutz bieten, sondern auch eine intelligente Überwachung und Steuerung des Energieflusses ermöglichen.