Ähnlich wie Batterien aus der Elektromobilität werden auch die Antriebsstränge nach Ende der Nutzungsdauer geschreddert. Gemeinsam mit Partnern sucht das Fraunhofer-Institut für Produktionstechnik und Automatisierung IPA im Rahmen des Projekts REASSERT nach Ansätzen für Reparatur, Aufarbeitung und Wiederverwendung des Elektromotors.

Galliumnitrid Halbleiter helfen in vielen Bereichen, die Effizienz von Technologie zu steigern. Um die Entwicklung von Stromversorgungssystemen für New-Energy-Vehicles (NEV) voranzutreiben, kooperieren nun ein Halbleiterhersteller und ein Unternehmen für Bordstromversorgungen. Diese betreiben nun in Shenzhen ein neues Forschungs- und Entwicklungslabor.

Infineon Technologies hat vor dem Bezirksgericht im Northern District of California (USA) eine Klage wegen einer Patentverletzung eingereicht. Im Detail geht es hier um eine von Infineon patentierte Galliumnitrid (GaN)-Technologie.

STMicroelectronics hat den Softwarealgorithmus STM32 ZeST (Zero Speed Full Torque) vorgestellt, der für den Betrieb auf STM32-Mikrocontrollern vorgesehen ist und sensorlosen Motoren die Fähigkeit verleiht, im Stillstand das volle Drehmoment zu entwickeln. Der Algorithmus ebnet damit den Weg zu einer bisher nicht erreichbaren Laufruhe und Vorhersagbarkeit und steht Kunden bereits zur Verfügung.

Ein neues Material für schnellere, energiesparende Halbleiterspeicher, effizientes 3D-Audio und ein innovativer Ansatz zur Krebsfrüherkennung: Für ihre Doktorarbeiten in der angewandten Forschung wurden am 28. Februar drei Nachwuchsforschende aus Dresden, Erlangen und Leipzig mit dem Hugo-Geiger-Preis ausgezeichnet. Ein Preis der jährlich durch das Bayerische Staatsministerium für Wirtschaft, Landesentwicklung und Energie (StMWi) und die Fraunhofer-Gesellschaft vergeben wird.

Einen kernbasierten Stromsensor haben LEM und Danfoss entwickelt: Das Nano-Konzept vereint einen Stromsensor von LEM mit der DCM-Halbbrücken-Leistungsmodulplattform von Semikron Danfoss. Dieser ist 60 Prozent kleiner als bisher verfügbare Sensoren.

Kleiner, leistungsfähiger und zuverlässiger: Diese Forderungen an Kfz-Steuergeräte decken sich mit denen aus fast allen Märkten für elektronische Produkte. Erfüllen lassen sie sich mit neuen, effizienten Gehäusen für Leistungshalbleiter, die bei drastisch reduziertem Platzbedarf gleichzeitig eine bessere Kühlung ermöglichen.

Nachhaltigkeit ist in der Fertigung von Bauteilen und Herstellung von Elektronik ein heißes Thema. Um den CO₂-Fußabdruck in der Produktion zu reduzieren, hat ZF sein Werk für Leistungselektronik im tschechischen Klášterec zur Null-Emissionsfabrik umgebaut und neu eröffnet.

Um durch die GaN-Technologie einen höheren Systemwirkungsgrad zu erzielen und um die Implementierung von GaN-FETs zu vereinfachen wurden neue 100 V Halbbrücken-Treiber vorgestellt.

Die Einführung neuer Solid-State-Isolatoren, die auf einer innovativen kernlosen Transformatortechnologie basieren, ermöglichen eine schnellere und zuverlässigere Schaltung mit Schutzfunktionen, die über die Möglichkeiten von traditionellen, optisch basierten Solid-State-Relais (SSR) hinausgehen.