Die Siliziumkarbid-Hersteller ESK-SIC und Kyocera Fineceramics Europe sind eine strategische Partnerschaft eingegangen mit dem Ziel, innovative Lösungen für die nachhaltige Herstellung von Siliciumcarbid und den damit verbundenen Endprodukten zu entwickeln.

Das „Giant Magellan Telescope“ (GMT), welches derzeit in Chile entsteht, wird zukünftig das leistungsstärkste optische Teleskop der Welt. Mit enormen Drehmomenten steuern später die Hauptachsenantriebe Azimuth und Elevation des GMT mit höchster Präzision.

Seit nahezu 25 Jahren kooperieren der Vertriebsspezialist für thermische Lösungen, CTX Thermal Solutions, und der Kühlkomponentenhersteller PADA Engineering. Die Verantwortlichen von CTX verkünden nun die Vertiefung dieser Partnerschaft mit einer Beteiligung an PADA.

Die Elektrifizierung aller Bereiche treibt die weit verbreitete Einführung von Siliziumkarbid-/SiC-Halbleitern in Anwendungen mit mittleren und hohen Spannungen wie Transportwesen, Stromnetze und Schwerlastfahrzeuge voran. Um Entwickler bei der Umsetzung von SiC-Lösungen zu unterstützen und den Entwicklungsprozess zu beschleunigen, wurden nun neue Gate-Treiber vorgestellt.

Eine neue technologische Fusion verspricht eine signifikante Reduzierung der Energieverluste und eine Verbesserung der Leistungsfähigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen. Durch die Integration von Trench-IGBTs, welche für ihre herausragende Energieeffizienz bekannt sind und durch die Nutzung der neuesten Generation von antiparallelen Dioden, sollen neue Maßstäbe in der Leistungselektronik erreicht werden.

Kleine Motoren wie Lüftermotoren erfordern einen ebenso enormen Entwicklungsaufwand wie größere Modelle. Um schnelle Entwicklungszeiten zu gewährleisten und trotzdem bezüglich der Sicherheitsanforderungen keine Abstriche zu machen, erleichtern Controller-ICs die Entwicklung.

Nur mit geeigneten Hard- und Softwaretools können Entwickler die Vorteile von SiC-Halbleitern optimal nutzen. So erlaubt ein webbasierter Simulator, Leistungsverluste zu berechnen und die Sperrschichttemperatur von SiC-Bauelementen abzuschätzen.

Das Joulesche Gesetz besagt, dass ein elektrischer Strom, der durch einen Widerstand fließt, Wärme erzeugt. Genau deshalb streben Halbleiterhersteller einen möglichst niedrigen Einschaltwiderstand an. Dieser senkt den Leistungsverlust.

Ein von Microchip vorgestellter E-Fuse Demonstrator auf SiC-Basis soll Entwicklern von Antrieben für Elektrofahrzeuge (EVs) eine schnellere und zuverlässigere Lösung für den Schutz von Hochspannnungs-Schaltungen im Fehlerfall bieten.

Nach der Klage von Infineon gegen Innoscience vor dem Bezirksgericht im Northern District of California (USA) hat nun Innoscience Stellungnahme genommen. Im Detail bezog sich das Patent von Infineon auf eine Galliumnitrid (GaN)-Technologie.