Erweiterte Kooperation mit Resonac: Infineon sichert sich langfristig Ausgangsmaterial für Siliziumkarbid-(SiC-)Leistungshalbleiter. Neben 6-Zoll-Wafern wird Resonac später auch 8-Zoll-Wafer liefern. Infineon strebt bis 2030 einen Marktanteil von 30 Prozent an.

Entwickelt wurden die vier neuen Hyperfast-Gleichrichter der fünften Generation, um den Wirkungsgrad von Mittelfrequenzwandlern sowie von hart und weich geschalteter oder resonanter Designs zu verbessern.

Auf welche Kriterien, insbesondere Soft Skills, sollte man bei der Wahl des Netzteilpartners Wert legen? Natürlich ist das wettbewerbsfähige Angebot eine Voraussetzung. Aber es gibt weitere Gründe.

Die Empower-Prothese von Ottobock gibt ihrem Träger die verlorene Bewegungsfreiheit zurück –ein bürstenloser Motor hilft bei jedem Schritt, die Energie eines Wadenmuskels freizusetzen.

Mit dem offenporigen Aluminium-Kokillenguss steht eine neue Leichtbauwerkstoffklasse zur Verfügung, die multifunktionale und multistrukturelle Eigenschaften für Leistungselektronik, LEDs oder Antriebe bietet. Ein Bestandteil neben Aluminium ist Kochsalz.

Zum Montieren und Testen von Power-IC-Modulen hat Leistungshalbleiter-Marktführer Infineon eine neue Fabrik in Ungarn gebaut und jetzt eröffnet. Im Endausbau sollen dort 275 Angestellte arbeiten. Die Produktion läuft bereits.

Die schädlichste Störung in der Stromversorgung ist Überspannung. Im Fehlerfall eines Netzteils mit dauerhafter Überspannung als Folge, schützt die Crowbar-Schaltung die Folgesysteme vor Zerstörung.

Nur wer die Details kennt, weiß, wie das Ganze funktioniert. Das gilt wie für alles im Leben auch für die Leistungselektronik, um es auf den Punkt zu bringen. Das erste Entwicklerforum im VCC gibt Praxishilfen.

Mit der weltweit größten Online-Bibliothek von CAD-Daten für das PCB Design bietet Ultra Librarian den weltweiten Zugang zu neuen Bauteilen, um ein schnelles Design-In zu ermöglichen.

Zwei wesentliche Vorteile von SiC-Leistungshalbleitern sind die 3-fach höhere Wärmeleitfähigkeit und 10-fach höhere Durchbruchspannung im Vergleich zu Silizium. Vier solcher SiC-Devices skizziert der Artikel.