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Leistungselektronik TSMC trennt sich bis Juli 2027 von der Herstellung von GaN-Wafern

Von Susanne Braun 1 min Lesedauer

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TSMC Europe B.V.
Würth Elektronik eiSos GmbH & Co. KG

Halbleiterhersteller Navitas teilt mit, für die Herstellung von GaN-Power-ICs künftig mit PSMC zu kooperieren. Der bisherige Partner TSMC hingegen plant, die GaN-Wafer-Herstellung einzustellen. Es heißt, dass die bestehende Infrastruktur für Advanced Packaging für KI-Tech genutzt werden soll.

TSMC will Berichten zufolge die Herstellung von 200-mm-GaN-Wafern bis Juli 2027 einstellen.(Bild: TSMC)
TSMC will Berichten zufolge die Herstellung von 200-mm-GaN-Wafern bis Juli 2027 einstellen.
(Bild: TSMC)

Bei TSMC sind strategische Entscheidungen getroffen worden, die sich auf die Entwicklung fortschrittlicher Prozessknoten konzentrieren, um die weiter wachsende Nachfrage nach Produkten zur Umsetzung von künstlicher Intelligenz zu bedienen. Das äußert sich unter anderem darin, dass die Wafer-Services für Galliumnitrid (GaN) bis zum 31. Juli 2027 eingestellt werden.

Das lässt sich einer Pressemitteilung des bisherigen GaN-Partners Navitas entnehmen, in der es heißt: „Die 100-V-Familie wird voraussichtlich im ersten Halbjahr 26 bei Powerchip in Produktion gehen, während das Unternehmen davon ausgeht, dass die 650-V-Bauteile in den nächsten 12 bis 24 Monaten von Navitas’ bisherigem Lieferanten TSMC zu Powerchip wechseln werden.“ Demnach ist Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) jetzt der neue Partner für die Produktion und die Entwicklung der 200-mm-GaN-on-Silicon-Technologie fortzusetzen. Die ersten Qualifikationen sind für das vierte Quartal 2025 geplant, mit einer Massenproduktion von 100-V-GaN-Produkten ab der ersten Hälfte des Jahres 2026.

Gerüchteweise habe man sich für die GaN-on-Silicon-Technologie von PSMC entschieden, weil die TSMC-Tochter Vanguard International Semiconductor (VIS) die komplexere und teurere GaN-on-QST-Technologie (Qromis Substrate) verwendet. Für kostensensitive Anwendungen ist GaN-on-Si immer noch die bevorzugte Wahl.

Brancheninsider nehmen an, dass TSMC sich hauptsächlich aufgrund des zunehmenden Wettbewerbs aus China und der damit verbundenen Margendrucks aus der Produktion von GaN-Wafern zurückzieht. Zudem könnte die Hsinchu Fab 5, die bisher für die GaN-Technologie genutzt wurde, zeitnah für Advanced Packaging umgewidmet werden (via TrendForce). Durch die Wiederverwendung bestehender Reinraumanlagen kann TSMC die Expansion mit minimalem Aufwand beschleunigen, da die Nachfrage nach CoWoS-, Wafer-on-Wafer- (WoW) und Wafer-Level System Integration (WLSI)-Technologien steigt. (sb)

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