GaN-Technologie von STMicroelectronics und Innoscience

Partnerschaft GaN-Technologie von STMicroelectronics und Innoscience

04.04.2025 Von Susanne Braun 1 min Lesedauer

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Innoscience Europe NV.

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STMicroelectronics und Innoscience wollen in Sachen GaN-Technologie in Zukunft gemeinsame Sachen machen. Dabei entsteht eine Partnerschaft zur Entwicklung und Fertigung von Leistungshalbleitern für Automotive, Rechenzentren, Unterhaltungselektronik und industrielle Stromversorgung.

STMicroelectronics und Innoscience partnern bei GaN-Technologien, auch um Fertigungskapazitäten zu teilen.(Bild: STMicroelectronics / Innoscience) — STMicroelectronics und Innoscience partnern bei GaN-Technologien, auch um Fertigungskapazitäten zu teilen.
(Bild: STMicroelectronics / Innoscience)

Die Elektrifizierung des Individualverkehrs, die Denkfabriken der Gegenwart, KI-Rechenzentren nämlich, moderne Unterhaltungselektronik und die industrielle Stromversorgung haben aktuell einen merklichen Bedarf an GaN-Halbleiterbauelementen, der in Zukunft auch nicht abreißen wird. In der Hinsicht ist es nur logisch, wenn sich Partnerschaften bilden, um von den Entwicklungen im Bereich der Elektronikindustrie zu profitieren.

Eine neue Partnerschaft wurde am 31. März 2025 zwischen dem Halbleiterhersteller STMicroelectronics (ST) und dem GaN-on-Si-Waferproduzenten Innoscience bekannt gegeben. Das Team hat das Ziel, gemeinsam an der Verbesserung der Leistungsfähigkeit von GaN-basierenden Stromversorgungslösungen zu arbeiten. Besonders spannend ist für die Unternehmen die gemeinsame Nutzung der Fertigungskapazitäten in bestimmten Märkten. Die Vereinbarung ermöglicht Innoscience die Nutzung von STMicroelectronics' Frontend-Fertigungsstätten außerhalb Chinas für die Produktion seiner GaN-Wafer, während STMicroelectronics umgekehrt auf die Produktionskapazitäten von Innoscience in China zugreifen kann.

Diese Vereinbarung kommt beiden Seiten entgegen. STMicroelectronics kann die eigene Fertigung flexibler gestalten, das Portfolio um GaN-Technologien erweitern und Produkte für den asiatischen Markt vor Ort produzieren. Bei Innoscience freut man sich wahrscheinlich um einen langfristigen Abnehmer für die 8-Zoll-GaN-Wafer sowie über die Fertigungskapazitäten außerhalb Chinas. (sb)

GaN-Lösung: Größe einer Leiterplatte mit einem GaN-IPM im Vergleich zu einer herkömmlichen IGBT-Lösung. (Bild: TI)

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Stand: 08.12.2025

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