Mehr Selbstversorgung: SiC-Chips für Anwendungen in der Leistungselektronik sind gefragt. Mit größeren 200-mm-SiC-Wafern schraubt ST nun den Ausstoß nach oben. (STMicroelectronics)
Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid: ST fertigt jetzt 200-mm-SiC-Wafer

STMicroelectronics (ST) stellt in seinem Werk in Norrköping (Schweden) jetzt 200-mm-SiC-Wafer her. Darauf lassen sich fast doppelt so viele Leistungs-ICs fertigen wie mit bisherigen 150-mm-Substraten. Mit einer weiteren 200-mm-Fabrik will der europäische Halbleiterhersteller bis 2024 mehr als 40 Prozent seiner SiC-Substrate aus eigenen Quellen beziehen.

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