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Neben GaN-FETs sind auch GaN-FET-Gatetreiber nötig und bieten hierfür eine präzise Ansteuerung mit kurzen Schaltzeiten. (Bild: Texas Instruments)
GaN-Treiber

GaN in Space

Moderne Satellitensysteme werden immer komplexer. Daher wächst der Bedarf an effizienten und platzsparenden Stromversorgungslösungen für Anwendungen im Weltall. Neue GaN-FET-Gatetreiber ermöglichen eine kompakte, leistungsstarke Energieverwaltung. So wird Größe, Gewicht und Energieeffizienz optimiert.

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0121461080v3 (Bild: frei lizenziert)
Leistungselektronik Grundlagen

IGBT

Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) kombiniert die Eigenschaften von MOSFETs und Bipolartransistoren. Er besitzt zum einen eine hohe Eingangsimpedanz zum anderen eine hohe Stromtragfähigkeit. Somit ist das Bauelement in der Lage, große Ströme zu kontrollieren und schnell zu schalten.

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