Reichweitenangst (Range Anxiety) gilt als eines der Haupthindernisse für die Verbreitung von Elektrofahrzeugen. Also müssen die Reichweiten der Elektroautos steigen – hier können Siliziumkarbid-ICs im Traktionswechselrichter einen wesentlichen Beitrag leisten.

Mithilfe Künstlicher Intelligenz (KI) passt eine neuartige Soft-Switching-Architektur das Timing der Ein- und Ausschaltvorgänge in Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge kontinuierlich den Randbedingungen an – und sorgt so für „echtes“ Soft-Switching.

Wide-Bandgap-Halbleiter wie SiC und GaN ermöglichen höhere Schaltfrequenzen auch in Motorantrieben. Die Auswirkungen auf Wirkungsgrad und andere Aspekte des Antriebssystems in der Praxis hat Infineon mit simulierten und experimentellen Ansätzen untersucht.

Nexperia wird zum SiC-MOSFET-Anbieter: Hatte der Hersteller bisher in seinem FET-Portfolio auf Silizium und Galliumnitrid gesetzt, sind dort jetzt auch diskrete 1.200-V-Typen auf Siliziumkarbid-Basis verfügbar.

Interaktive Online-Datenblätter für Leistungs-MOSFETs basieren auf elektrothermischen Modellen der Bauteile. Mittels virtueller Schieberegler können Entwickler mehrere Parameter ihrer Schaltung variieren und die Auswirkungen auf den Arbeitspunkt des Bauelements sofort evaluieren.

Toshiba hat sein Angebot an „intelligenten“ Leistungsbausteinen für die Ansteuerung bürstenloser Gleichstrommotoren (BLDC) um zwei 600-V-Varianten erweitert. Die neuen Bausteine im kompakten HDIP30-Durchsteckgehäuse eignen sich für den Einsatz in Pumpen, Klimaanlagen, Lüftern, Ventilatoren und ähnlichen Applikationen.

Im Fraunhofer-Förderprojekt PowerCare werden neuartige vertikale Galliumnitrid-Leistungshalbleiter sowie echtzeitfähige Ausfallmodelle auf KI-Basis entwickelt und in Motorantrieben eingesetzt. Damit will das Projekt den Grundstein für die nächste Evolutionsstufe intelligenter, nachhaltiger Leistungsmodule legen.

Im Juli 2023 wurde die Übernahme der Vermögenswerte des ehemaligen Kunitomi-Werks von Solar Frontier in Japan durch Rohm angekündigt, die nun abgeschlossen ist. Die neue Produktionsstätte von SiC-Leistungsbauelementen wird eine der größten von Rohm.

Seit der Inbetriebnahme der ersten GaN-on-Si-Fertigungslinie 2017 bis August 2023 hat Innoscience Technology mehr als 300 Millionen seiner InnoGaN-Galliumnitrid-ICs ausgeliefert. Zusätzliche Vertriebsabkommen sollen den Absatz in Europa weiter beschleunigen.

Das kalifornische Unternehmen Efficient Power Conversion (EPC) hat seinen chinesischen Konkurrenten Innoscience verklagt wegen angeblicher Verletzung von vier EPC-Patenten zu Leistungshalbleitern auf Basis von Galliumnitrid (GaN). Innoscience weist die Vorwürfe entschieden zurück.