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GaN in Bordstromversorgungen Strategische Partnerschaft zur Weiterentwicklung von New-Energy-Vehicles

Quelle: Pressemitteilung 1 min Lesedauer

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Galliumnitrid Halbleiter helfen in vielen Bereichen, die Effizienz von Technologie zu steigern. Um die Entwicklung von Stromversorgungssystemen für New-Energy-Vehicles (NEV) voranzutreiben, kooperieren nun ein Halbleiterhersteller und ein Unternehmen für Bordstromversorgungen. Diese betreiben nun in Shenzhen ein neues Forschungs- und Entwicklungslabor.

Navitas und SHINRY beschleunigen die Entwicklung von Fahrzeugen mit neuer Energie mit Halbleitern der nächsten Generation.(Bild: Navitas Semiconductor)
Navitas und SHINRY beschleunigen die Entwicklung von Fahrzeugen mit neuer Energie mit Halbleitern der nächsten Generation.
(Bild: Navitas Semiconductor)

Der Halbleiterhersteller Navitas und SHINRY, ein Unternehmen für Bordstromversorgung haben die Eröffnung eines gemeinsamen Forschungs- und Entwicklungslabors bekanntgegeben. Ziel ist es die Entwicklung von Stromversorgungssystemen für New-Energy-Vehicles (NEV) zu beschleunigen, welche auf der GaNFast-Technologie von Navitas basieren.

Galliumnitrid (GaN) zeichnet sich durch seine herausragenden Eigenschaften aus. Gerade im Bereich Effizienz und bei hohen Frequenzen ermöglicht dies eine Reihe von Verbesserungen in der Leistungselektronik. Ein sehr interessantes Beispiel hierfür ist die Ladetechnologie: GaN ermöglicht es, dass Geräte schneller als je zuvor aufgeladen werden können. Aber das ist erst der Anfang.

Das gemeinsame Labor in der SHINRY-Zentrale in Shenzhen, beschleunigt Entwicklungsprojekte, indem es modernste GaN-Technologie mit innovativem Systemdesign und fähigen Ingenieuren kombiniert. So entstehen noch nie dagewesene hohe Leistungsdichten, sowie leichtgewichtige und effiziente Designs, welche zu schnellerem Aufladen und größerer Reichweite führen und eine kürzere Markteinführungszeit ermöglichen.

Das gemeinsame Labor bring Ingenieure von Navitas und SHINRY zusammen, um effiziente, gemeinschaftliche Forschungs- und Entwicklungsplattformen aufzubauen. Das Navitas-eigene Design Center für EV-Systeme in Shanghai wird das gemeinsame Labor technisch umfassend unterstützen. Navitas wird SHINRY nicht nur mit hochmodernen, zuverlässigen Stromversorgungsgeräten beliefern, sondern sich auch an der Forschung und Entwicklung auf Systemebene beteiligen - von den ersten Phasen der Produktspezifikation und des Designs bis hin zu Testplattformen und kundenspezifischen Verpackungslösungen. Das Ergebnis werden effizientere, zuverlässigere und kostengünstigere Stromversorgungssysteme für NEVs mit höherer Leistungsdichte sein.

Bereits 2012 begann SHINRY mit der Nutzung von Siliziumkarbid-Halbleitern (SiC). 2019 begann SHINRY mit der Forschung zur Anwendung von GaN und suchte aktiv nach strategischen Partnern. Hier wurde mit Navitas ein attraktiver Partner im Bereich der GaN-Technologie gefunden. (mr)

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