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Ziel: Sichere und stabile Halbleiterversorgung in Japan Rohm und Toshiba arbeiten bei der Leistungshalbleiterfertigung zusammen

Quelle: Pressemitteilung 2 min Lesedauer

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Toshiba Electronics Europe GmbH
ROHM Semiconductor GmbH

Einen gemeinsamen Plan zur Zusammenarbeit bei der Herstellung und Massenfertigung von Leistungshalbleitern haben Rohm und Toshiba verkündet. Dieser Plan wird von der japanischen Regierung als Maßnahme für eine sichere und stabile Halbleiterversorgung im Land unterstützt.

Teil des Kapazitätsausbaus: Das neue Rohm-Werk für SiC-Halbleiter in Kunitomi, Japan.(Bild: ROHM)
Teil des Kapazitätsausbaus: Das neue Rohm-Werk für SiC-Halbleiter in Kunitomi, Japan.
(Bild: ROHM)

Laut Angaben der beiden Partner werden Rohm und Toshiba Electronic Devices & Storage erhebliche Investitionen in Leistungsbausteine auf Siliziumkarbid- (SiC) und Siliziumbasis (Si) tätigen. Sie wollen nicht nur die gemeinsamen Liefermengen ausbauen, sondern auch gegenseitig die Produktionskapazitäten der jeweils anderen Partei komplementär nutzen mit dem Ziel, die internationale Wettbewerbsfähigkeit beider Unternehmen zu verbessern und zur Stärkung der Widerstandsfähigkeit der Halbleiterlieferketten in Japan beizutragen.

Vor allem Letzteres, also eine sichere und stabile Halbleiterversorgung in Japan zu gewährleisten, ist auch erklärtes Ziel der japanischen Regierung, daher unterstützt das japanische Ministerium für Wirtschaft, Handel und Industrie (METI) den Plan von Rohm und Toshiba zur Zusammenarbeit bei der Herstellung von Leistungsbauelementen als Maßnahme auf dem Weg dorthin.

Leistungselektronik gilt als Schlüsseltechnologie für das Ziel einer kohlenstofffreien bzw. kohlenstoffneutralen Gesellschaft, so rechnen Marktforscher mit einer weiter steigenden Nachfrage für Anwendungen in der Elektrifizierung des Fahrzeug-Antriebsstrangs sowie industriellen Applikationen.

Beide Unternehmen investieren in Kapazitätsausbau

Vor diesem Hintergrund sieht Rohm SiC-Leistungsbauelemente als Schlüssel zu Energieeinsparungen und arbeitet kontinuierlich an der Entwicklung und Massenfertigung von SiC-MOSFETs – die aktuellen SiC-MOSFETs der vierten Generation werden laut Rohm in zahlreichen Elektrofahrzeugen und Industrieanlagen zum Einsatz kommen. So ist das SiC-Geschäft eines der vorrangigen Projekte des Herstellers, der kontinuierlich und im großen Maßstab investiert, um die SiC-Produktionskapazität zu erhöhen und das starke Nachfragewachstum zu decken.

Toshiba liefert seit Jahrzehnten Si-Leistungsbauelemente, vor allem für den Automobil- und Industriemarkt, und hat im vergangenen Jahr eine 300-mm-Waferlinie in Betrieb genommen, um ebenfalls höhere Produktionskapazitäten zu gewährleisten und der stark wachsenden Nachfrage gerecht zu werden. Darüber hinaus treibt Toshiba die Entwicklung einer breiteren Palette von SiC-Leistungsbauelementen voran.

Rohm hatte bereits seine Beteiligung an der Privatisierung von Toshiba angekündigt, legt in der Pressemitteilung zu dem jetzt vorgestellten Kooperationsplan jedoch Wert darauf, dass diese Investition nicht der Ausgangspunkt für die Produktionszusammenarbeit zwischen den beiden Unternehmen war. Vielmehr hätten Rohm und Toshiba angesichts des sich verschärfenden internationalen Wettbewerbs in der Halbleiterindustrie schon seit einiger Zeit eine Zusammenarbeit im Bereich der Leistungsbauelemente in Erwägung gezogen, was nun zu dem gemeinsamen Antrag geführt habe. (cg)

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