Automotive Superjunction-MOSFETs mit gesteigerter Power-Performance

Effizientere DC/DC-Wandler Automotive Superjunction-MOSFETs mit gesteigerter Power-Performance

13.03.2024 Quelle: Pressemitteilung 2 min Lesedauer

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STMicroelectronics Design and Aplication GmbH

Die für Automotive-Anwendungen geeigneten und für 600 V bzw. 650 V ausgelegten Superjunction-MOSFETs der Serie STPOWER MDmesh DM9 AG bieten ein herausragendes Maß an Effizienz und Robustheit für OBCs (On-Board Chargers) und DC/DC-Wandler auf der Basis hart und sanft schaltender Topologien.

Die Superjunction-MOSFETs der Serie MDmesh DM9 sind siliziumbasiert und sind für bis zu 650 V freigegeben.(Bild: STMicroelectronics) — Die Superjunction-MOSFETs der Serie MDmesh DM9 sind siliziumbasiert und sind für bis zu 650 V freigegeben.
(Bild: STMicroelectronics)

Gekennzeichnet durch ein hervorragenden Verhältnis zwischen R_DS(on) und Chipfläche sowie durch eine minimale Gateladung, kombinieren die siliziumbasierten Bauelemente geringe Energieverluste mit einer herausragenden Schaltleistung, womit sie eine neue Bestmarke für die „Figure of Merit“ setzen. Verglichen mit der vorigen Generation weist die neueste MDmesh DM9 Technologie eine reduzierte Streuung der Gate-Source-Schwellenspannung (V_gs(th)) auf, was wiederum für steilere Schaltflanken und geringere Ein- und Ausschaltverluste sorgt.

Das verbesserte Sperrverzögerungsverhalten der Body-Diode ist das Resultat eines neuen, optimierten Prozesses, der zusätzlich auch der allgemeinen Robustheit der MOSFETs zugutekommt. Die geringe Sperrverzögerungsladung (Q_rr) und die kurze Sperrverzögerungszeit (t_rr) verleihen der Serie MDmesh DM9 eine ideale Eignung für phasenversetzt im Spannungs-Nulldurchgang schaltende Topologien, die nach größtmöglicher Effizienz verlangen.

Die Familie ist in Durchsteck- und Surface-Mount-Gehäusen verfügbar, die Designern beim Realisieren kleiner Abmessungen, hoher Leistungsdichte und großer Systemzuverlässigkeit helfen. Die Bauform TO-247 LL (Long Lead) ist eine populäre Durchsteck-Option, die das Design-in vereinfacht und sich für bewährte Bestückungsprozesse eignet. Unter den oberflächenmontierbaren Gehäusen sind die Bauformen H2PAK-2 (2 Anschlüsse) und H2PAK-7 (7 Anschlüsse) für die Kühlung über die Unterseite optimiert, sei es mit wärmeleitenden Substraten oder durch Verwendung von Leiterplatten mit Thermal Vias oder anderen Verbesserungen. Im Angebot sind ebenfalls die oberseitig gekühlten oberflächenmontierbaren Gehäusevarianten HU3PAK und ACEPACK SMIT.

Als erstes Produkt der neuen Serie STPOWER MDmesh DM9 AG kommt der STH60N099DM9-2AG, ein für 27 A ausgelegter, AEC-Q101-qualifizierter N-Kanal-Baustein mit 600 V Nennspannung im H2PAK-2-Gehäuse und mit einem typischen R_DS(on)-Wert von 76 mΩ. ST wird die Familie zu einem kompletten Angebot ausbauen, das einen breiten Strombereich abdeckt und R_DS(on)-Werte von 23 mΩ bis 150 mΩ aufweist.

Weitere Informationen finden Sie hier. (mr)

Der STM32 ZeST Algorithmus lässt sich mühelos auf sensorlose Permanentmagnet-Synchronmotoren anpassen. (Bild: STMicroelectronics)

Im gemeinsamen Referenzdesign werkeln Mikrocontroller, Gate-Treiber und MOSFETs von STMicroelectronics zusammen mit Induktivitäten von Würth – und steuern den Antrieb eines Würth-Elektrowerkzeugs. (Bild: STMicroelectronics)

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Stand: 08.12.2025

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