Galliumnitrid Devices Weitere Finanzierung für Cambridge GaN Devices

Die englische Cambridge GaN Devices (kurz CGD) erhält eine Serie-B-Finanzierung von 19 Mio. US-$, um die Serienfertigung neuer GaN-Leistungshalbleiter zu ermöglichen. Im März 2021 schloss CGD die Serie-A-Finanzierung in Höhe von 9,5 Mio. US-$ ab, heißt es in der jüngsten offiziellen Mitteilung.

Das Fabless-Halbleiterunternehmen im englischen Cambridge entstand 2016 als Ausgliederung aus der renommierten Gruppe für Leistungsbauelemente am Fachbereich Ingenieurwesen der Universität Cambridge. Die jetzt erfolgte Finanzierung in Höhe von 19 Mio. US-$ haben die Financier Parkwalk Advisors und BGF geleitet. Parkwalk ist ein Investor in Hard-Science-Unternehmen, um wissenschaftliche Entdeckungen an britischen Elite-Forschungsuniversitäten zu vermarkten. Als weitere Finanzbeteiligungen werden IQ Capital, CIC, Foresight Williams Technology und Martlet Capital genannt. Die Investition soll CGD in die Lage versetzen, mit der Massenproduktion von GaN-Transistoren für Leistungsanwendungen zu beginnen.

Dazu konstatiert Dr. Giorgia Longobardi, Mitgründerin und CEO von CGD: „GaN bietet die bestmögliche Umwandlung, die die Leistungsverluste um mehr als 50% reduziert und die Effizienz der Energieumwandlung auf über 99% erhöht. Würden alle Rechenzentren GaN Devices einsetzen, könnten 12,4 TWh Strom pro Jahr oder 9 Millionen Tonnen CO₂ eingespart werden - das entspricht der Einsparung von 1,9 Mio. Fahrzeugen mit Verbrennungsmotoren für ein Jahr. CGD hat bereits bemerkenswerte Fortschritte gemacht, indem weitere IPs entwickelt und neue Galliumnitrid-Transistoren mit der Bezeichnung ICeGaN auf den Markt gebracht wurden.“ Das weltweite Marktvolumen für GaN-Leistungshalbleiter taxiert CGD bis 2027 auf 50 Mrd. US-$.

Das Unternehmen sei gut positioniert, um in verschiedenen Branchen wie Konsum- und Industriestromversorgungen, Beleuchtung, Datenzentren und HEV/EV in der Automobilbranche neue Impulse zu setzen. Derzeit leite CGD ein von der EU mit 10 Mio. US-$ gefördertes Projekt zur Entwicklung GaN-basierter Module für Anwendungen mit niedrigem und hohem Stromverbrauch (GaNext), beteiligt sich an einer britischen Lieferketteninitiative für in Leiterplatten eingebettete Stromversorgungssysteme mit GaN-Bauteilen (P3EP, Pre-packaged Power Devices for PCB Embedded Power Electronics) und habe vor kurzem ein Projekt zur Entwicklung hochzuverlässiger GaN-Leistungstransistoren zur Verringerung der Emissionen von Rechenzentren (ICeData) gestartet. CGD konzentriert sich auch auf wichtige Partnerschaften mit bestehenden Kunden, die sich Lösungen für die Datenkommunikation und die Automobilindustrie widmen. Das Unternehmen habe seine Markenentwicklung abgeschlossen, neue Büroräume bezogen und beschäftige nun weltweit mehr als 40 Mitarbeiter

Langfristiges Ziel: EV/HEV-Elektronik

Im März 2022 hat das Fabless-Unternehmen die Markteinführung des ersten Produktportfolios bekannt gegeben. Im Rahmen des gleichfalls ersten Messeauftritts auf der APEC (Applied Power Electronics Conference) wurde die ICeGaN-Familie 650 V H1 vorgestellt, die vier GaN Devices für 650 V umfasst. Der Produktname ICeGaN steht für Integrated Circuit Enhancement Mode GaN. Die Technologie kombiniert die Vorteile der einfachen Handhabung von Cascode-Konfigurationen mit der Einfachheit eines Single Die eMode (normally off) HEMTs sowie eine Reihe integrierter intelligenter Lese- und Schutzfunktionen. All dies ist in einen einzigen Chip eingebettet, der laut CGD im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Chips eine bis zu 50% geringere Verlustleistung aufweist. Die Technologie sei in Bezug auf Leistung und Spannung für zukünftige Entwicklungen vollständig skalierbar.

Expansion in weitere Zielmärkte

Als ersten Anwendungen nennen die Engländer Produkte der Unterhaltungselektronik wie mobile Ladegeräte, Adapter für Laptops, Gaming- und AIO-Computer sowie allgemein SMPS für Konsumanwendungen. Zugleich gehe man mit der 650-V-H1-Serie den ersten Schritt in Märkte wie Beleuchtung und Server. Eine weitere Expansion in Richtung Hochleistungsserver und Telekommunikationsmärkte für Rechenzentren, PV-Wechselrichter und erneuerbare Energieerzeugung ist geplant, langfristig werde das Segment EV/HEV-Systeme angestrebt.

Seit 2016 hat das Unternehmen nach eigenen Angaben ein Portfolio von 39 Patenten und Anmeldungen aufgebaut. Davon seien 20 besondere Entwicklungen, deren Fokus die breite Einführung der GaN-Technologie etwa in der Unterhaltungselektronik ist. Die kommerzielle Markteinführung der 650-V-H1-Produkte sein ein Novum in der Branche, weil sie die Verwendung von Standard-MOSFET-Treibern ermögliche und auf externe Schutzkomponenten verzichte, sagt CGD.

Die langfristige Produktstrategie von CGD wird auch durch mehrere von mehreren Partnern aus Großbritannien und der EU finanzierte Projekte unterstützt, heißt es. Das jüngste Projekt ist ICeData, eine Initiative zur Entwicklung und Vermarktung hocheffizienter GaN-basierter ICs für den Einsatz in Server-Stromversorgungen für Rechenzentren. Dieses spezielle Projekt wird vom britischen Ministerium für Wirtschaft, Energie und Industriestrategie (BEIS) im Rahmen des Energy Entrepreneur Fund finanziert. (ku)

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