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Branchenbester On-Widerstand Symmetrischer 80 V Dual-MOSFET mit 18,5 mOhm On-Widerstand

Quelle: Pressemitteilung 2 min Lesedauer

Das Joulesche Gesetz besagt, dass ein elektrischer Strom, der durch einen Widerstand fließt, Wärme erzeugt. Genau deshalb streben Halbleiterhersteller einen möglichst niedrigen Einschaltwiderstand an. Dieser senkt den Leistungsverlust.

Der platzsparende Baustein im PowerPAIR 1212-Gehäuse benötigt 50 Prozent weniger Platz, reduziert die Anzahl der Bauelemente und vereinfacht das Design.(Bild: Vishay Intertechnology)
Der platzsparende Baustein im PowerPAIR 1212-Gehäuse benötigt 50 Prozent weniger Platz, reduziert die Anzahl der Bauelemente und vereinfacht das Design.
(Bild: Vishay Intertechnology)

Um genau diesen Verlust möglichst gering zu halten, hat Vishay Intertechnology einen neuen symmetrischen 80 V-Dual-N-Kanal- Power MOSFET vorgestellt. Er vereint High-Side- und Low-Side-TrenchFET Gen IV MOSFETs in einem 3,3 x 3,3 mm² PowerPAIR 3x3FS-Gehäuse. Der SiZF4800LDT von Vishay Siliconix erhöht die Leistungsdichte und den Wirkungsgrad bei der Stromwandlung in Industrie- und Telekommunikationsanwendungen und verbessert gleichzeitig die thermische Leistung, reduziert die Anzahl der Bauteile und ermöglicht ein einfacheres Design.

Der neue Dual-MOSFET kann anstelle von zwei diskreten Bauelementen verwendet werden, die normalerweise im PowerPAK 1212-Gehäuse spezifiziert sind, was 50 Prozent Platz auf der Leiterplatte einspart. Er ist eine platzsparende Lösung für synchrone Abwärtswandler, Point-of-Load-Wandler (POL) sowie Halb- und Vollbrücken-Leistungsstufen für DC/DC-Wandler in Funk-Basisstationen, industriellen Motorantrieben, Schweißgeräten und Elektrowerkzeugen. In diesen Anwendungen bilden die High- und Low-Side-MOSFETs des SiZF4800LDT eine optimierte Kombination für ein Tastverhältnis von 50 Prozent, während das Einschalten auf Logikebene bei 4,5 V die Ansteuerung der Schaltung vereinfacht.

Zur Steigerung der Leistungsdichte bietet der SiZF4800LDT den branchenbesten On-Widerstand von typisch 18,5 mOhm bei 4,5 V. Dies ist um 16 Prozent niedriger als der nächstbeste konkurrierende Baustein mit denselben Gehäuseabmessungen. Für einen höheren Wirkungsgrad bei Hochfrequenz-Schaltanwendungen bietet der SiZF4800LDT ein niedrigeres Produkt aus On-Widerstand mal Gate-Ladung – eine wichtige Kennzahl (FOM) für MOSFETs, die in Stromwandlungsanwendungen eingesetzt werden – von nur 131mOhm*nC auf.

Die Flip-Chip-Technologie des Bauelements verbessert die Wärmeableitung, was zu einem um 54 Prozent geringeren Wärmewiderstand im Vergleich zu konkurrierenden MOSFETs führt. Die Kombination aus niedrigem On-Widerstand und Wärmewiderstand des SiZF4800LDT führt zu einem kontinuierlichen Drain-Strom von 36 A, der um 38 Prozent höher ist als der des nächstbesten Konkurrenzprodukts. Dieser MOSFET verfügt über eine einzigartige Pinkonfiguration, die ein vereinfachtes Platinenlayout ermöglicht und kürzere Schaltschleifen zur Minimierung der parasitären Induktivitäten unterstützt. Der SiZF4800LDT ist zu 100 prozentig RG- und UIS-geprüft, RoHS-konform und halogenfrei.  (mr)

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