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Rohm hat insbesondere für den Einsatz in OBCs neue SiC-Power-Module mit hoher Leistungsdichte entwickelt. (Bild: Rohm)
Elektrofahrzeuge

Kompakte SiC-Leistungsmodule mit hoher Wärmeableitung für Onboard-Ladegeräte

Rohm hat neue 4-in-1- und 6-in-1-SiC-Module im HSDIP20-Gehäuse entwickelt, die für PFC- und LLC-Wandler in Onboard-Ladegeräten für Elektrofahrzeuge optimiert sind. Die Produktreihe umfasst insgesamt 13 Module, davon sechs für 750 und sieben für 1200 V. Der Hersteller hat alle erforderlichen Grundschaltungen für die Leistungsumwandlung in verschiedenen Hochleistungsanwendungen in einem kompakten Modulgehäuse integriert.

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Bildergalerien

Nach erfolgreicher Premiere des „Entwicklerforum Leistungselektronik“ am 18. Oktober 2022 steht der Folgetermin fest für den 17. Oktober 2023 im VCC Würzburg. (Bild: Kucera)
Si, SiC & GaN

„Das Optimale ist oft ein Kompromiss.“

MOSFET oder IGBT? Silizium oder Siliziumkarbid? Welche Kriterien entscheiden? Wie lange hält das ausgesuchte Bauelement in der Applikation? Liegt die Chip-Temperatur sicher innerhalb der erlaubten Maxima? Die Liste der Fragen ist lang. Sehr lang. Auf dem ersten „Entwicklerforum Leistungselektronik“ gaben Experten ihres Fachs in ihren Vorträgen die gesuchten Antworten.

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