0121461080v3 (Bild: frei lizenziert)
Leistungselektronik Grundlagen

IGBT

Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) kombiniert die Eigenschaften von MOSFETs und Bipolartransistoren. Er besitzt zum einen eine hohe Eingangsimpedanz zum anderen eine hohe Stromtragfähigkeit. Somit ist das Bauelement in der Lage, große Ströme zu kontrollieren und schnell zu schalten.

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QI-HTS-Stellaratoren sollen den Weg zur kommerziellen Fusion ebnen. (Bild: Max Planck Institute for Plasma Physics, Jan Michael Hosan)
Kernfusion

Fusionsenergie: Made in Bavaria

Die Kernfusion gilt die Zukunft der Energieerzeugung – sauber, nahezu unbegrenzt und sicher. Mit Stellaris rückt diese Vision in greifbare Nähe: Das Start-up Proxima Fusion hat gemeinsam mit führenden Forschungseinrichtungen ein Kraftwerksdesign entwickelt, welches erstmals eine kontinuierliche und verlässliche Reaktion ermöglichen soll.

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