Leistungsbauelemente Rohm und TSMC kooperieren bei Galliumnitrid-Technologie für Elektrofahrzeuge

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Rohm und TSMC wollen zukünftig gemeinsam an der Entwicklung und Serienproduktion von Galliumnitrid-Leistungsbauelemente arbeiten, die in Elektrofahrzeugen zum Einsatz kommen. Beide Unternehmen haben im Rahmen dessen eine strategische Partnerschaft geschlossen.

Strategische Zusammenarbeit zwischen Rohm und TSMC im Bereich Galliumnitrid-Technologie für die Automobilindustrie.(Bild:  Rohm)
Strategische Zusammenarbeit zwischen Rohm und TSMC im Bereich Galliumnitrid-Technologie für die Automobilindustrie.
(Bild: Rohm)

Ziel der Zusammenarbeit ist es, Rohms Technologie zur Entwicklung von Bauelementen mit der GaN-auf-Silizium-Prozesstechnologie von TSMC kombinieren. Damit soll die wachsende Nachfrage nach herausragenden Hochspannungs- und Hochfrequenzeigenschaften für siliziumbasierte Leistungsbauelemente erfüllt werden.

Einsatz in On-Board-Chargern

Galliumnitrid-Leistungsbauelemente (GaN) kommen derzeit in Industrieanwendungen wie Netzteilen und Serverstromversorgungen eingesetzt. TSMC unterstützt die GaN-Technologie aufgrund ihrer potenziellen Umweltvorteile in Automobilanwendungen wie On-Board-Ladegeräten und Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge.

Partnerschaft vertiefen

Die Partnerschaft baut auf der Zusammenarbeit von Rohm und TSMC bei GaN-Leistungsbauelementen auf. Im Jahr 2023 führte der japanische Halbleiterhersteller die 650-V-GaN-HEMT-Technologie von TSMC ein. Diese kommt als Teil von Rohms EcoGaN-Serie zunehmend in Bauelementen für Verbraucher- und Industrieanwendungen zum Einsatz. Dazu gehört auch der 45-W-Wechselstromadapter „C4 Duo“ von Innergie, einer Marke von Delta Electronics, Inc.  (se)

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