GaN-Technologie im Renesas-Portfolio Renesas übernimmt GaN-Spezialist Transphorm

Halbleiteranbieter Renesas hat die Übernahme von Transphorm, einem Anbieter von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern, bekannt gegeben. Dadurch verfügt man bei Renesas nun über eine eigene GaN-Technologie und legt damit einen weiteren Grundstein für Leistungshalbleiter der nächsten Generation.

Im Januar 2024 haben die Verantwortlichen von Renesas Electronics Corporation, einem Anbieter für Halbleiterlösungen, öffentlich bekannt gegeben, dass man mit Transphorm, Inc., einem Spezialisten für Galliumnitrid-Leistungshalbleitern, eine endgültige Vereinbarung zur Übernahme getroffen hat. Diese Vereinbarung umfasst die folgenden Details, die von Renesas kommuniziert werden.

Eine Tochtergesellschaft von Renesas wird alle Stammaktien von Transphorm im Umlauf für 5,10 US-Dollar pro Stück in bar erwerben, was einem Aufschlag von rund 35 Prozent auf den Schlusskurs am 10. Januar 2024 entspricht. Des Weiteren entspricht dieser Wert einem Aufschlag von etwa 56 Prozent auf den volumengewichteten Durchschnittskurs der vergangenen zwölf Monate und einem Aufschlag von etwa 78 Prozent auf den volumengewichteten Durchschnittskurs der letzten sechs Monate. Oder kurz gefasst: Renesas legt einen spürbaren Bonus darauf, um die ausstehenden Transphorm-Aktien zu kaufen. Insgesamt bewertet das Unternehmen die Transaktion mit etwa 339 Millionen US-Dollar.

Die Transaktion wird voraussichtlich im zweiten Halbjahr 2024 abgeschlossen sein, sofern die Aktionäre dieser zustimmen und andere übliche Abschlussbedingungen erfüllt sind. Der Vorstand von Transphorm hat dem Vorgang und dem Angebot von Renesas bereits einstimmig zugestimmt und empfiehlt den Aktionären des Unternehmens, das ebenfalls zu tun. „Gleichzeitig mit der Unterzeichnung der endgültigen Vereinbarung hat KKR Phorm Investors L.P., die etwa 38,6 Prozent der ausstehenden Stammaktien von Transphorm hält, eine übliche Stimmrechtsvereinbarung mit Renesas abgeschlossen, um für die Transaktion zu stimmen.“

GaN: Das Grundmaterial für Leistungshalbleiter der nächsten Generation

Mit dieser Übernahme verfügt Renesas dann im eigenen Unternehmen über GaN-Technologie, um seine Position auf wachsenden Märkten wie E-Mobilität, Computing mit KI, Infrastruktur und Rechenzentren, erneuerbaren Energien, industrieller Leistungsumwandlung und Schnellladegeräten sowie Adaptern auszubauen.

Denn vor allem steigt die Nachfrage nach hocheffizienten Energiesystemen, mit denen die Grundlage für Klimaneutralität erschaffen wird. Und die Elektronik- und Elektrotechnik-Industrie vollzieht zunehmend einen Wandel hin zu Wide-Bandgap-Materialien wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN), die einen breiteren Spannungs- und Schaltfrequenzbereich, geringere Leistungsverluste, kleinere Formfaktoren und schlussendlich eine kostengünstigere Produktion als Bauelemente auf Siliziumbasis erlauben.

„Die Einbindung der GaN-Technologie von Transphorm baut auf unserem Momentum in den Bereichen IGBT und SiC auf. Sie wird unser Leistungshalbleiterportfolio als wichtige Wachstumssäule stärken und ausbauen“, so Hidetoshi Shibata, CEO von Renesas.  „Dank dieser Transaktion können wir unseren Kunden noch umfangreichere Dienstleistungen anbieten und unseren Aktionären einen beträchtlichen unmittelbaren Barwert erbringen. Damit setzen wir unsere angekündigte Strategie zur Steigerung des Shareholder Value um“, fügen Dr. Primit Parikh, Mitbegründer, President & CEO von Transphorm, und Dr. Umesh Mishra, Mitbegründer & CTO von Transphorm hinzu. (sb)

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