IGBT & Power-MOSFET Neueröffnung mit Power-MOSFETs & IGBTs auf 300-mm-Wafern

Von Gerd Kucera

Renesas investiert 660 Mio. € in die 300-mm-Wafer-Fertigung in Kofu und plant dort die IGBT- & MOSFET-Produktion für beispielsweise Automotive-Anwendungen.

Die Automotive-Anwendung ist einer der wichtigen Zielmärkte von Renesas.
Die Automotive-Anwendung ist einer der wichtigen Zielmärkte von Renesas.
(Bild: Renesas )

Im Oktober 2014 wurde die Kofu Fab geschlossen. Dies war Teil einer allgemeinen Strukturreform und Geschäftsoptimierung. Im Zuge dieses Auswahl- und Konzentrationsprozesses war die Kofu Fab auch nicht die einzige Fabrik, die deaktiviert wurde. Zudem fiel die Entscheidung mit der Tatsache zusammen, dass für die Produkte, die damals in Kofu hergestellt wurden, in den kommenden Jahren ein Nachfragerückgang zu erwarten war.

Renesas hat die Gebäudestruktur beibehalten, die eine 300-mm-Linie aufnehmen kann. Lediglich der Reinraum wurde aufgegeben, das Gebäude blieb bestehen. Nun nutzt Renesas diese vorhandene Struktur für ihre geplante 300-mm-Linie.

Mit einer Investition von rund 90 Mrd. Yen (umgerechnet 660 Mio. €) wird Renesas die Kofu-Halbleiterfabrik in Kai City (Präfektur Yamanashi in Japan) wieder in Betreib nehemen. So ist der Plan. Vorgesehen ist die Fertigung von IGBTs und Power-MOSFETs auf 300-mm-Wafern. Größe des Reinraums: 18.000 m2.

„Mit dem zunehmenden Streben nach Dekarbonisierung dürfte die Nachfrage nach hocheffizienten Leistungshalbleitern in den nächsten Jahren weltweit drastisch steigen“, konstatiert Renesas und rechnet insbesondere mit einem raschen Anstieg durch Nachfrage nach Elektrofahrzeugen. Demzufolge ist der Plan, die Produktionskapazitäten für Leistungshalbleiter wie IGBTs zu erhöhen, um der Forderung nach Dekarbonisierung zu entsprechen. Sobald die Kofu-Fabrik die Massenproduktion erreicht, werde sich die Gesamtproduktionskapazität der Leistungshalbleiter verdoppeln.

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Die Kofu Factory der Renesas Semiconductor Manufacturing Co. Ltd, einer hundertprozentigen Tochtergesellschaft von Renesas, betrieb früher sowohl 150-mm- als auch 200-mm-Wafer-Produktionslinien.

Hidetoshi Shibata, Präsident und CEO von Renesas: „Diese Investition ermöglicht es uns, unsere größte Wafer-Fertigungslinie für Leistungshalbleiter zu betreiben, die für die Umsetzung der Dekarbonisierung von zentraler Bedeutung sind. Wir werden weiterhin die notwendigen Investitionen tätigen, um unsere internen Produktionskapazitäten zu verbessern und gleichzeitig die Beziehungen zu unseren Outsourcing-Partnern weiter auszubauen. Um dem mittel- bis langfristigen Nachfragewachstum gerecht zu werden, wird Renesas auch weiterhin die Versorgungssicherheit gewährleisten, um Kunden bestmöglich zu unterstützen.“

Entsprechend der Strategie des japanischen Ministeriums für Wirtschaft, Handel und Industrie für Halbleiter will Renesas die Investition durchzuführen und sich dazu eng mit dem Ministerium abstimmen. Diese Investition werde auch keinen wesentlichen Einfluss auf das Ergebnis von Renesas für das Jahr 2022 haben.

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