Automotive-IGBT Nennstrom 200 A für diskrete Traktionswechselrichter

Von Gerd Kucera

Diese für diskrete Automotive-Traktionswechselrichter optimierten IGBT erweitern das Portfolio von Infineon an diskreten Hochspannungsbauelementen für KFZ-Anwendungen.

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Der Wärmekoeffizient der 750-V-EDT2-IGBTs ist positiv.
Der Wärmekoeffizient der 750-V-EDT2-IGBTs ist positiv.
(Bild: Infineon)

Die neuen EDT2-IGBTs im TO247PLUS-Gehäuse entsprechen dem Industriestandard AECQ101 für Automotive-Bauteile. Dadurch können die IGBTs die Leistung und Zuverlässigkeit von Umrichtersystemen deutlich erhöhen, sagt Infineon. Mit dem Micro-Pattern-Trench-Field-Stop-Zellenen-Design für Automotive-Applikationen basieren die IGBTs auf einer Technologie, die bereits in mehreren Wechselrichtermodulen wie dem EasyPACK 2B EDT2 oder dem HybridPACK eingesetzt wird. Bei einer Temperatur von 100 °C betragen die Nennströme der diskreten EDT2-IGBTs 120 A und 200 A, jeweils mit niedriger Durchlassspannung, wodurch die Leitungsverluste zur vorherigen Generation bis zu 13% reduziert werden. Mit einem Nennstrom von 200 A sei der AIKQ200N75CP2 klassenbester diskreter IGBT. Für eine definierte Leistungsklasse werden weniger Bauelemente parallel benötigt, die Leistungsdichte steigt.

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