IGBT-Leistungsmodule im INT-A-PAK-Gehäuse verringern Leitungs- und Schaltverluste

Neue Leistungsmodule IGBT-Leistungsmodule im INT-A-PAK-Gehäuse verringern Leitungs- und Schaltverluste

29.02.2024 Quelle: Pressemitteilung 2 min Lesedauer

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Eine neue technologische Fusion verspricht eine signifikante Reduzierung der Energieverluste und eine Verbesserung der Leistungsfähigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen. Durch die Integration von Trench-IGBTs, welche für ihre herausragende Energieeffizienz bekannt sind und durch die Nutzung der neuesten Generation von antiparallelen Dioden, sollen neue Maßstäbe in der Leistungselektronik erreicht werden.

Die IGBT-Leistungsmodule kommen im neu gestalteten INT-A-PAK-Gehäuse und verringern Leitungs- und Schaltverluste.(Bild: Vishay Intertechnology) — Die IGBT-Leistungsmodule kommen im neu gestalteten INT-A-PAK-Gehäuse und verringern Leitungs- und Schaltverluste.
(Bild: Vishay Intertechnology)

Fünf neue Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodule im neu gestalteten INT-A-PAK-Gehäuse stellte der Hersteller Vishay Intertechnology vor. Die Module VS-GT100TS065S, VS-GT150TS065S, VS-GT200TS065S, VS-GT100TS065N und VS-GT200TS065N basierend auf der Trench-IGBT-Technologie von Vishay. Sie ermöglichen Entwicklern die Auswahl zwischen zwei erstklassigen Technologien – niedrige V_CE(ON) oder niedrige E_off – zur Verringerung der Leitungs- oder Schaltverluste in Hochstrom-Wechselrichterstufen für Transport-, Energie- und Industrieanwendungen.

Die neuen Halbbrücken-Bauelemente kombinieren Trench-IGBTs - die im Vergleich zu anderen Produkten auf dem Markt eine verbesserte Energieeinsparung bieten - mit antiparallelen Fred Pt-Dioden der vierten Generation, die sich durch eine besonders sanfte Rückstrombegrenzung auszeichnen. Das kompakte INT-A-PAK-Gehäuse der Module hat eine neue Gate-Pin-Orientierung und ist jetzt zu 100 Prozent kompatibel mit dem 34-mm-Industriestandardgehäuse, so dass ein mechanischer Drop-in-Austausch möglich ist.

Die IGBT-Leistungsmodule für den industriellen Einsatz finden Verwendung in Wechselrichtern für die Stromversorgung von Bahnanlagen, in Systemen zur Energieerzeugung, -verteilung und -speicherung, in Schweißgeräten, Motorantrieben und in der Robotik. Um die Leitungsverluste in Ausgangsstufen für WIG-Schweißmaschinen zu reduzieren, bieten die VS-GT100TS065S, VS-GT150TS065S und VS-GT200TS065S eine industrieweit niedrige Kollektor-Emitter-Spannung V_CE(ON) ≤ 1,07 V bei +125 °C und Nennstrom. Für Hochfrequenz-Leistungsanwendungen bieten der VS-GT100TS065N und der VS-GT200TS065N extrem niedrige Schaltverluste mit E_off bis zu 1,0 mJ bei +125 °C und Nennstrom.

Zu den technischen Features dieser RoHS-konformen Module gehört eine Kollektor-Emitter-Spannung von 650 V, ein kontinuierlicher Kollektorstrom von 100 A bis 200 A und ein sehr geringer thermischer Widerstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse. Die nach UL E78996 zertifizierten Bauelemente können direkt auf Kühlkörpern montiert werden und bieten niedrige EMI, um die Anforderungen an die Dämpfung zu reduzieren. (mr)

Claudius Teske, Landrat des Kreises Steinburg, (links) und Ralf Hoppe, Bürgermeister der Stadt, (3. von links) mit den Verantwortlichen der 400 Mio. Dollar-Investition am Vishay-Standort Itzehoe: Serge Jaunay, Tilo Bormann, COO Jeff Webster und Leif Henningsen, Geschäftsführer in Itzehoe. (Bild: Vishay Siliconix Iztzehoe)

Weiter fahren: Nach dem Laden sorgt ein Umrichter auf SiC-Basis für eine um 5 Prozent größere Reichweite des E-Autos. (Bild: AdobeStock_437936229_© Jeerasak – stock.adobe.com)

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