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GaN-Treiber GaN-Treiber für die robuste und zuverlässige Ansteuerung von GaN-FETs

Quelle: Pressemitteilung 2 min Lesedauer

Um durch die GaN-Technologie einen höheren Systemwirkungsgrad zu erzielen und um die Implementierung von GaN-FETs zu vereinfachen wurden neue 100 V Halbbrücken-Treiber vorgestellt.

Der neue LT8418 enthält Treiberstufen, Treiberlogik und Schutzfunktionen.(Bild: Analog Devices)
Der neue LT8418 enthält Treiberstufen, Treiberlogik und Schutzfunktionen.
(Bild: Analog Devices)

Analog Devices stellt einen für 100 V ausgelegten Halbbrücken-GaN-Treiber vor, der die Implementierung von GaN-FETs einfacher macht und eine robuste Gate-Ansteuerung, hohe Schaltfrequenzen und einen höheren Systemwirkungsgrad ermöglicht. Der neue LT8418, der neben den high- und low-seitigen Treiberstufen auch die Treiberlogik und Schutzfunktionen enthält, kann in synchronen Halb- und Vollbrücken-Topologien sowie in Buck-, Boost- und Buck-Boost-Schaltungen eingesetzt werden. Der Baustein hält als Quelle und als Senke hohe Treiberströme mit einem Pull-up-Widerstand von 0,6 Ω und einem Pull-down-Widerstand von 0,2 Ω aus. Er kann damit die unterschiedlichsten GaN-FETs ansteuern. Integriert ist ebenfalls ein intelligenter Bootstrap-Schalter, um aus VCC mit minimaler Dropout-Spannung eine ausgewogene Bootstrap-Spannung zu erzeugen.

Der LT8418 enthält geteilte Gatetreiber zum Einstellen der Einschalt- und Abschalt-Geschwindigkeiten der GaN-FETs, um ein Schwingen zu unterdrücken und die EMV-Eigenschaften zu optimieren. Sämtliche Ein- und Ausgänge des Treibers befinden sich standardmäßig im Low-Status, damit ein ungewolltes Einschalten der GaN-FETs unterbunden wird. Die PWM-Eingänge INT und INB des LT8418 sind für eine präzise Ansteuerung unabhängig und TTL-kompatibel. Die Signallaufzeit ist mit 10 ns sehr kurz und weist zwischen dem oberen und dem unteren Kanal eine Abweichung von höchstens 1,5 ns auf, was den LT8418 für Gleichspannungswandler mit hohen Schaltfrequenzen, Motortreiber und Klasse-D-Audioverstärker geeignet macht. Das WLCSP-Gehäuse zeichnet sich durch eine minimierte parasitäre Induktivität aus und kommt dem Einsatz in Anwendungen mit hohem Performance-Niveau und hoher Leistungsdichte entgegen.

Die Gatetreiber verfügen über geteilte Pull-up- und Pull-down-Gatetreiber mit 0,6 Ω bzw. 0,2 Ω für ein einstellbares Ein- und Abschaltverhalten. Die maximale Stromstärke beträgt 4 A (Quelle) bzw. 8 A (Senke). Typischerweise beträgt die Signallaufzeit 10 ns. Die Gatetreiber haben eine hohe Beständigkeit gegen Spannungsspitzen bis zu 50 V/ns und bieten Schutzfunktionen vor zu niedrigen (VCC und BST) und zu hohen Spannungen (VCC). Der integrierte, intelligente Bootstrap-Schalter regelt die high-seitige Gatetreiberspannung so, dass die GaN-FETs nicht aus ihrem sicheren Arbeitsbereich herausgeraten.  (mr)

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