Hochvolt-MOSFET Bis zu 4 K kühler als der 900-V-CoolMOS C3

Ladesysteme, Schaltnetzteile und High-Power-Beleuchtungen sind die bevorzugten Einsatzbereiche der 950-V-CoolMOS-Serie PFD7 von Infineon. Mit stark reduzierter Die-Temperatur im Vergleich zum Vorgänger-MOSFET soll ein neuer Maßstab gelten.

Der 950-V-MOSFET PFD7 (CoolMOS) hat nach Infineon-Angaben eine um 60% reduzierte Gate-Ladung Q_g gegenüber dem CoolMOS C3, was zu einer Verringerung der Treiberverluste und einem verbesserten Wirkungsgrad sowohl bei geringer als auch voller Last führe.

Mit der ab sofort erhältlichen Hochvolt-MOSFET-Familie PFD7 will Infineon den Marktanforderungen nach verbesserten Formfaktoren und energieeffizienten Produkten entsprechen. Damit soll zugleich ein neuer Maßstab für die 950-V-Superjunction-Technologie gelten. Die MOSFETs der 950-V-Serie besitzen eine integrierte schnelle Body-Diode, die die Robustheit des Bauteils erhöhe. Mehr Leistungsdichte und Energieeffizienz waren klares Entwicklungsziel dieser MOSFETs für Schaltnetzteile und Hochvolt-Beleuchtung.

Geeignet für Flyback, PFC und LLC/LCC

Alle Bauteile sind für Flyback-, PFC- und LLC/LCC-Designs geeignet, konstatiert Infineon, einschließlich Halb- oder Vollbrückenkonfigurationen und sorgen für eine robuste und zuverlässige Kommutierung. Durch die Integration einer ultraschnellen Body-Diode mit außergewöhnlich niedriger Reverse-Recovery-Ladung (Q_RR) bieten sie Robustheit und Zuverlässigkeit bei harter Kommutierung und seien damit die robustesten SJ-MOSFETs in dieser Spannungsklasse und können in allen Topologien der Zielanwendungen eingesetzt werden.

Mit den deutlich reduzierten Schaltverlusten (E_OSS, Q_OSS, Q_g) verbessere sich der Wirkungsgrad in sowohl hart als auch in weich schaltenden Anwendungen. Das führt zu einer im Vergleich zum SJ-MOSFET-C3 (900 V) bis zu 4 K niedrigeren MOSFET-Temperatur, heißt es. Die neuen Produkte verbessern somit die PFC-Effizienz bei Leicht- und Volllast um mehr als 0,2% und erreichen gleichzeitig eine konkurrenzfähige LLC-Effizienz.

Gekapselt in verschiedenen SMD- und THD-Gehäusen hat die PFD7-Familie bis zu 55% weniger Einschaltwiderstand, beispielsweise 450 mΩ in DPAK- oder 60 mΩ im TO247-Gehäuse. Das kleinere Packaging spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte. Die Schwellenspannung V_(GS),th ist mit 3 V angegeben und die V_(GS),th-Schwankung mit ±0,5 V. Aufgrund dieser niedrigen Schwellenspannung und Toleranz wird der lineare MOSFET-Betrieb vermieden, sodass eine niedrigere Ansteuerspannung und eine Reduzierung der Leerlaufverluste möglich sind, beschreibt Infineon den Nutzen. Die um 60% reduzierte Gate-Ladung im Vergleich zu CoolMOS C3 senkt Treiberverluste deutlich. Die ESD-Robustheit wird mit HBM-Level der Klasse 2 angegeben.

Alle neuen und sofort verfügbaren 950-V-MOSFET der PFD7-Familie besitzen eine sehr hohe Portfolio-Granularität in SMD- und THD-Gehäusen, um die geforderten kleineren Formfaktoren mit höherer Leistungsdichte und BOM-Einsparungen zu ermöglichen.

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