Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-Technologien Toshiba eröffnet High-Voltage-Labor in Deutschland

Toshiba Electronics Europe hat in Düsseldorf ein neues High-Voltage-Labor eingerichtet. Der Standort soll europäische Kunden insbesondere beim Einsatz von Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-Technologien in industriellen oder Automotive-Anwendungen zu unterstützen.

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Toshiba Electronics Europe GmbH

Aufgrund der Verlagerung des Unternehmensschwerpunkts auf Leistungselektronik plant Toshiba, stärker in Infrastruktur und Ausrüstung wie Stromversorgungen, Lasten und Messgeräte für höhere Spannungsbereiche zu investieren. Im Zuge dieser Pläne hat das Unternehmen in Düsseldorf ein neues High-Voltage-Labor für den Einsatz von Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-Technologien in Betrieb genommen. Das High-Voltage-Labor soll ein integraler Bestandteil der Support- und Serviceaktivitäten von Toshiba für Kunden in Europa hinsichtlich Leistungselektronik-Bauelemente und -Lösungen werden.

Fokus liegt auf Wide-Bandgap-Halbleiter-Anwendungen

Ein besonderes Augenmerk liegt hier auf den Wide-Bandgap-(WBG-) Halbleitern wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Insbesondere europäische Kunden sollen vor Ort Dienstleistungen wie Simulationen wichtiger Leistungselektronikdesigns oder Entwurf von Referenzmodellen für Stromversorgungen (PFC; Leistungsfaktorkorrektur), Wechselrichter und Ladesysteme für Elektrofahrzeuge, können Kunden in Anspruch nehmen können, um ihre Systeme in Bezug auf Effizienz und Leistungsdichte zu optimieren.

„Die Entscheidung für die Investition ergab sich aus dem jüngsten Wachstum, den wir durch den zunehmenden Einsatz unserer Produkte sowie durch anwendungsbezogene Fragen von Kunden gesehen haben“, sagt Armin Derpmanns, General Manager, Semiconductor Marketing, bei Toshiba Electronics Europe. „Mit dem neuen High-Voltage-Labor lassen sich die Belange unserer Kunden nun in der eigenen Zeitzone und Sprache schneller bearbeiten.“

Das Leistungselektroniklabor entspricht den deutschen Vorschriften wie VDE0100. An dem Standort können Tests/Messungen bis 1500 VDC und 1000 VAC durchgeführt werden.

Ferner soll das High-Voltage-Labor in Düsseldorf dazu dienen, das bei Toshiba bereits etablierte Entwicklungs-Know-how für ASSPs und MCUs zu erweitern. Es soll ab sofort auch zusätzlich SiC- und GaN-Bauelemente, digitale Isolatoren, Gate-Treiber, Optokoppler/Relais umfassen und sich gleichzeitig auf wichtige Anwendungen in den Bereichen Automotive und Industrie konzentrieren.

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