Renesas und Wolfspeed: 10-Jahres-Vereinbarung zu SiC-Waferlieferungen

Zwei Milliarden Dollar als Pfand hinterlegt Renesas und Wolfspeed: 10-Jahres-Vereinbarung zu SiC-Waferlieferungen

11.07.2023 Quelle: Pressemitteilung Lesedauer: 2 min |

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Halbleiterhersteller Renesas und der SiC-Spezialist Wolfspeed haben einen Liefervertrag für SiC-Wafer mit einer Laufzeit von zehn Jahren unterzeichnet. Mit einer Kaution in Höhe von 2 Milliarden US-Dollar sichert sich Renesas das Bezugsrecht für die begehrten Wafer über diesen langen Zeitraum hinweg.

Renesas-CEO Hidetoshi Shibata (links) und Wolfspeed-CEO Greg Lowe haben ein 10-Jahres-Lieferabkommen für SiC-Wafer unterzeichnet.
(Bild: Renesas)

Die Lieferung von Siliziumkarbid-Bare- und Epitaxial-Wafer durch Wolfspeed wird Renesas laut eigenen Angaben den Weg ebnen, die Produktion von Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern ab 2025 zu steigern. Am Hauptsitz von Renesas in Tokio erfolgte die feierliche Unterzeichnung der Vereinbarung durch Renesas-CEO Hidetoshi Shibata und Gregg Lowe, Präsident und CEO von Wolfspeed.

Die auf zehn Jahre angelegte Liefervereinbarung sieht vor, dass Wolfspeed Renesas zunächst mit 150-mm-SiC-Wafern beliefert. Sobald Wolfspeeds kürzlich angekündigtes SiC-Fertigungszentrum in North Carolina vollständig in Betrieb ist, soll Renesas zudem 200-mm-Wafer erhalten.

Renesas baut SiC-Fertigungsstätten aus

Mit der Vereinbarung untermauern beide Unternehmen ihre gemeinsame Vision eines branchenweiten Übergangs von Silizium- zu Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern. Um den steigenden Bedarf durch den Boom bei Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energien zu decken, baut Renesas seine eigenen Fertigungskapazitäten aus. So kündigte das Unternehmen kürzlich die Wiederaufnahme der Produktion von IGBTs in der Kofu-Fab und die Einrichtung einer Siliziumkarbid-Produktionslinie in der Takasaki-Fab an.

„Der Wafer-Liefervertrag mit Wolfspeed sichert Renesas eine stabile, langfristige Versorgungsbasis mit hochwertigen Siliziumkarbid-Wafern. Dadurch kann Renesas sein Angebot an Leistungshalbleitern erweitern, um die breite Palette an Anwendungen der Kunden besser bedienen zu können“, so Hidetoshi Shibata, Präsident und CEO von Renesas. „Wir sind nun in der Lage, uns als wichtiger Akteur auf dem wachsenden Siliziumkarbid-Markt zu etablieren.“

„Angesichts der steigenden Nachfrage nach Siliziumkarbid im Automobil-, Industrie- und Energiesektor ist es von entscheidender Bedeutung, dass wir erstklassige Leistungshalbleiter-Kunden wie Renesas haben, die den weltweiten Übergang von Silizium zu Siliziumkarbid vorantreiben“, sagte Gregg Lowe, Präsident und CEO von Wolfspeed. „Seit mehr als 35 Jahren konzentriert sich Wolfspeed auf die Herstellung von Siliziumkarbid-Wafern und hochwertigen Leistungsbauelementen, und diese Beziehung ist ein wichtiger Schritt in unserer Mission, weltweit Energie zu sparen.“

Zwei Milliarden US-Dollar für Wolfspeeds Fab-Projekte

Mit der Einlage von Renesas in Höhe von 2 Milliarden US-Dollar sollen die laufenden Projekte von Wolfspeed zum Aufbau von Kapazitäten unterstützt werden – darunter die weltweit größte Produktionsstätte für Siliziumkarbidmaterialien in Chatham County, North Carolina. Die mehrere Milliarden Dollar teure Anlage soll die derzeitige Siliziumkarbid-Produktionskapazität von Wolfspeed auf dem Campus in Durham, North Carolina, um mehr als das Zehnfache erhöhen. In der Anlage werden hauptsächlich 200-mm-Siliziumkarbid-Wafer hergestellt werden, gegenüber 150-mm-Wafern 1,7-mal größer sind. Dies führt zu mehr Chips pro Wafer und laut Angaben von Wolfspeed letztlich zu niedrigeren Bauelementekosten.

Im Februar gab Wolfspeed den Bau der weltweiten größten Fab für Siliziumkarbid-ICs im Saarland bekannt – auch hier sollen 200-mm-SiC-Wafer verarbeitet werden. Zusammen mit dem parallel geplanten ZF-Entwicklungszentrum sollen im Saarland dadurch rund 1.000 neue Arbeitsplätze entstehen. (cg)