Detaillierte Simulation erlaubt virtuelles Prototyping Navitas und Plexim stellen thermische Verlustmodelle für Leistungs-ICs bereit

Quelle: Pressemitteilung Lesedauer: 1 min |

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Im Rahmen einer Partnerschaft haben Navitas Semiconductor und Plexim thermische Verlustmodelle für die präzise Simulation kompletter Leistungselektroniksysteme auf Basis von Navitas-Bausteinen im Plecs-Tool von Plexim erstellt.

Navitas und Plexim stellen präzise Modelle für die Simulation von Leistungs-ICs im Plecs-Tool zur Verfügung.
Navitas und Plexim stellen präzise Modelle für die Simulation von Leistungs-ICs im Plecs-Tool zur Verfügung.
(Bild: Navitas Semiconductor)

Leistungsentwickler können mit den Modellen die Leistungs- und Wärmeverluste von GeneSiC Siliziumkarbid-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS(on) bei hohen Temperaturen und MPS-Dioden mit „Low-Knee“-Charakteristiken in verschiedenen Soft- und Hard-Switching-Anwendungen simulieren.

„Mit genauen, empirisch basierten Simulationsmodellen steigt die Chance, auf Anhieb korrekte Designs zu erstellen“, meint Dr. Ranbir Singh, Executive Vice President für den GeneSiC-Geschäftsbereich bei Navitas. „Für den Leistungsentwickler ist es ein entscheidender Wettbewerbsvorteil, die Spitzenleistung von GeneSiC-MOSFETs und MPS-Dioden mit detaillierten Bauteilkennlinien direkt erfassen sowie Leistungs-, Effizienz- und Wärmeanalysen durchführen zu können.“

Und Kristofer Eberle, Plexim Nordamerika, nennt den aus seiner Sicht wesentlichen Faktor: „Basierend auf Look-Up-Tables ist der intuitive und effiziente Ansatz des Plecs-Tools der Schlüssel zur Simulation thermischer Halbleiterverluste in komplexen leistungselektronischen Schaltungen. Im Gegensatz zu herkömmlichen Modellierungsansätzen, die für die neuen Wide-Bandgap-Materialien nicht gut geeignet sind, verwendet Plecs eine vereinfachte, aber genaue Verhaltensbeschreibung, um die Leistung der GeneSiC-MOSFETs darzustellen.“

Die neuen Plecs-Modelle für GeneSiC-MOSFETs und MPS-Dioden sind ab sofort erhältlich. (cg)

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