Automotive Nach AEC-Q101-qualifizierte Power-MOSFET für EVs

Von Gerd Kucera

Für Automotive-Anwendungen gibt es von DIODES einer Serie von Power-MOSFETs im TO-Leadless-Gehäuse. Mit einer um 50% größeren Lötkontaktfläche als beim TO263 hat das TO-LL-Gehäuse eine thermische Impedanz zwischen Sperrschicht und Gehäuse von 0,65 °C/W.

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(Bild: DIODES)

Die 100-V-MOSFETs mit der Typenbezeichnung DMTH10H1M7STLWQ beziehungsweise DMTH10H2M5STLWQ und DMTH8001STLWQ für 80 V belegen 20% weniger Platz auf der Leiterplatte als ein TO263-Gehäuse. Sie weisen eine Bauhöhe von 2,4 mm auf, was sie für den Einsatz in hochzuverlässigen Leistungselektronik-Anwendungen wie Energierückgewinnung, integrierte Starter-Generatoren und DC/DC-Wandler in batteriebetriebenen Fahrzeugen eignet. Alle MOSFTEs sind für eine Betriebstemperatur bis 175 °C vorgesehen.

Das TO-LL-Gehäuse verwendet Clip-Bonding, um einen niedrigen Gehäusewiderstand und eine kleine parasitäre Gehäuse-Induktivität zu erzielen, sodass der DMTH8001STLWQ, DMTH10H1M7STLWQ und DMTH10H2M5STLWQ typische Durchlasswiderstände von 1,3 mΩ, 1,4 mΩ bzw. 1,68 mΩ bei einer Gate-Ansteuerung von 10 V aufweisen. Aufgrund der niedrigen parasitären Gehäuse-Induktivität ist laut DIODES eine geringere elektromagnetische Störstrahlung gegeben.

Mit einer um 50% größeren Lötkontaktfläche als beim TO263-Gehäuse ermöglicht das TO-LL-Gehäuse eine thermische Impedanz zwischen Sperrschicht und Gehäuse von 0,65 °C/W. Die MOSFETs können damit Ströme bis zu 270 A führen. Ihre verzinnten, trapezförmigen Anschlüsse erleichtern die automatische optische Inspektion. Die MOSFETs sind nach AEC-Q101 qualifiziert, PPAP-konform und werden in IATF-16949-zertifizierten Einrichtungen gefertigt.

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