Siliziumkarbid-Kooperation Milliarden-Deal mit SiC-Modulen für die nächste EV-Generation

Seit mehr als zehn Jahren kooperieren ROHM und SEMIKRON bei der Implementierung von Siliziumkarbid in Leistungsmodulen. Jetzt wurde die jüngste, vierte Generation der ROHM-SiC-MOSFETs in den eMPack-Modulen von SEMIKRON zum Einsatz in der Automobilindustrie vollständig qualifiziert.

Es ist ein nach eigenen Angaben Milliarden-Vertrag, den sich SEMIKRON durch die Lieferung seiner eMPack-Leistungsmodule an einen großen deutschen Automobilhersteller gesichert habe. Die Auslieferung ist für das Jahr 2025 geplant. Das Nürnberger Unternehmen entwickelte mit Direct Pressed Die (DPD) eine vollständig gesinterte Montage- und Verbindungstechnologie, die sehr kompakte, skalierbare und zuverlässige Traktionswechselrichter ermögliche. Diese eMPack-Modultechnologie wurde speziell für SiC-basierte Wandler mittlerer und hoher Leistung entwickelt. Sie nutzt die Eigenschaften des neuen Halbleitermaterials voll aus. Dazu offeriert SEMIKRON Evaluierungsboards für eMPack. Bestückt mit Gate-Treiber-ICs von ROHM sollen sie helfen, die für die Evaluierung und Einführung erforderliche Zeit zu verkürzen. Für die Zukunft plant SEMIKRON, die IGBTs von ROHM auch in Modulen für industrielle Anwendungen einzusetzen.

„Dank der SiC-Technologie von ROHM leisten die Module der eMPack-Familie von SEMIKRON einen wesentlichen Beitrag zur Emissionsreduzierung via Elektromobilität“, sagt Karl-Heinz Gaubatz, CEO und CTO von SEMIKRON, „ROHMs SiC-Technologie sorgt in Automotive- und Industrieanwendungen für mehr Effizienz, Leistung und Zuverlässigkeit.“

ROHM produziert SiC Devices im eigenen Haus mit einem vertikal integrierten Fertigungssystem. Die Produktionstochter von ROHM, SiCrystal mit Sitz in Nürnberg, plant die Siliziumkarbid-Wafer-Kapazitäten und die personellen Ressourcen deutlich aufzustocken. Ziel ist es, mehrere 100.000 Substrate pro Jahr zu produzieren.

„Diese Partnerschaft führt zu einer wettbewerbsfähigen Lösung für Wechselrichteranwendungen in Elektrofahrzeugen“, erklärt dazu Isao Matsumoto, Präsident und CEO von ROHM, „da die Nachfrage nach SiC weiter steigen wird, beschleunigen wir weitere Investitionen und die Produktentwicklung auf der Grundlage der Technologie, die wir als führender SiC-Hersteller kultiviert haben. Darüber hinaus wird unser Unternehmen auch künftig Lösungen vorschlagen und unsere Kunden unterstützen.“

Entwicklerforum Leistungselektronik

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ROHM ist seit Beginn der weltweit ersten Massenproduktion von SiC-MOSFETs nach eigenen Angaben führend im Bereich der SiC-Bauteiltechnologie und -Produkte. ROHMs neueste SiC-MOSFETs der vierten Generation, die von SEMIKRON verwendet werden, bieten einen branchenführend niedrigen Einschaltwiderstand mit verbesserter Kurzschlussfestigkeit, heißt es. Eingesetzt in Traktionswechselrichtern trügen diese Eigenschaften erheblich zur Verlängerung der Fahrzeit und zur Miniaturisierung der Batterien von Elektrofahrzeugen bei.

Beide Unternehmen wollen weiterhin für Innovationen in der Automobiltechnologie sorgen. Durch Verschmelzung von ROHMs Komponenten-/Steuerungstechnologien mit SEMIKRONs Modultechnologien, streben die beiden Unternehmen an, optimale Lösungen für Leistungskomponenten entsprechend den Marktanforderungen bereitzustellen.

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