Siliziumkarbid-Wafer Infineon erweitert SiC-Lieferantenbasis mit II-VI Incorporated

Anbieter zum Thema

Würth Elektronik eiSos GmbH & Co. KG

Infineon Technologies AG

Einen weiteren Zugang zum strategischen Halbleitermaterial SiC sichert sich Infineon Technologies durch einen mehrjährigen Wafer-Liefervertrag mit II-VI Incorporated.

Um der stark steigenden Nachfrage bei den SiC-Leistungshalbleitern entsprechen zu können hat Infineon als Teil ihrer Multi-Sourcing-Strategie einen neuen mehrjährigen Vertrag mit dem SiC-Wafer-Produzenten II-VI Incorporated unterzeichnet. Die ersten Lieferungen sind bereits erfolgt.

Erst im September 2021 hatte Infineon eine hochmoderne 1,6-Mrd.-€-Fabrik für Leistungshalbleiter im österreichischen Villach eröffnet und legte quasi zeitgleich am Standort im malaysischen Kulim nach: Mehr als 2 Mrd. € fließen dort in den Ausbau der Fertigungskapazitäten für Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-Verbindungshalbleiter (SiC und GaN). Das Unternehmen will seine Position im Markt für WBG-Leistungshalbleiter stärken. Die jetzt erfolgte SiC-Lieferkooperation ist der nächste Schritt.

II-VI Incorporated ist ein globaler Anbieter technischer Materialien und optoelektronischen Komponenten. Fokussiert auf die vertikale Produktintegration beliefert das Unternehmen mit Stammsitz in Saxonburg, Pennsylvania Branchen wie Kommunikation, Industrie, Unterhaltungselektronik und Automobil. Das Unternehmen unterhält in 18 Ländern 73 Niederlassungen und beschäftigt mehr als 22.000 Mitarbeiter weltweit in Forschungs- und Entwicklungs-, Produktions-, Verkaufs-, Service- und Vertriebseinrichtungen. Das Fertigungsspektrum kombiniert photonische und elektronische Materialien sowie Komponenten auch mit Software im Endprodukt. Die Kompetenz im SiC-Umfeld umfasst beispielsweise Substrate, Epitaxy und Power Devices/Module.

Namensgeber des Unternehmens sind die römischen Ziffern II und VI, die sich auf die Gruppe II und die Gruppe VI des Periodensystems der Elemente beziehen. Durch die chemische Kombination von Elementen aus diesen Gruppen entstanden infrarotoptischen kristallinen Verbindungen wie Cadmiumtellurid (CdTe), Zinkselenid (ZnSe), Zinksulfid (ZnS) und Zinksulfid-Multispektral (ZnS MS). Diese und andere Verbindungen, die aus Elementen der Gruppen II und VI hergestellt werden, sind als II-VI-Materialien bekannt. So entstand einst der Firmenname durch den Mitbegründer Dr. Carl J. Johnson, der 1971 zur Herstellung von Cadmiumtellurid die II-VI Incorporated etablierte.

Erneuerbare und E-Mobilität sind Wachstumtreiber

Siliziumkarbid indes gehört zur Elementgruppe III-V (III-V-Verbindungshalbleiter), die fast ausschließlich durch epitaktisches Wachstum erzeugt werden. „Diese SiC-Verbindungshalbleiter setzen neue Standards bei Leistungsdichte und Effizienz. Mit ihnen setzen wir unsere Strategie der Dekarbonisierung und Digitalisierung um“, sagt Angelique van der Burg, Chief Procurement Officer (Einkaufsleiterin) bei Infineon, „Infineon investiert verstärkt in seine SiC-Fertigungskapazitäten, um die schnell wachsende Nachfrage unserer Kunden zu bedienen. Wir freuen uns, dass wir mit II-VI unsere strategische Lieferantenbasis erweitern und unser Geschäft gemeinsam ausbauen können.“

„Infineon ist als Marktführer bei Leistungshalbleitern für uns ein wichtiger Partner“, konstatiert Sohail Khan, Executive Vice President, New Ventures & Wide-Bandgap Electronics Technologies bei II-VI, „mit unseren hochspezialisierten Produkten unterstützen wir Infineon dabei, Schlüsselkunden weltweit mit innovativen Elektronik-Komponenten zu bedienen.“

Als strategische Partner arbeiten II-VI und Infineon auch beim Übergang zu SiC-Wafern mit 200 mm Durchmesser zusammen.

Power Of Electronics 2022

Das erste „Entwicklerforum Leistungselektronik“ am 18.10.22 im VCC Würzburg

(ID:48545108)