1350-V-IGBT für Hausgeräte Geringere Verluste in resonanzbasierten Anwendungen

Redakteur: Gerd Kucera

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(Bild: Toshiba)

Von Toshiba Electronics Europe (Toshiba) gibt es einen diskreten 1350-V-IGBT für resonanzbasierte Haushaltsgeräte wie Induktionsherde, Tischkocher, Reiskocher und Mikrowellengeräte. Der Baustein GT20N135SRA weist eine Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (UCE(sat)) von 1,6 V (typisch) und eine Dioden-Durchlassspannung (UF) von 1,75 V auf. Im Vergleich zu herkömmlichen Bausteinen entspricht dies laut Toshiba einer Reduzierung von etwa 10% bzw. 21% . Da die Leitungsverluste bei hohen Temperaturen (TC=100 °C) sowohl beim IGBT als auch der Diode verringert wurden, sorgt der Baustein für einen effizienteren Betrieb. Darüber hinaus erlaubt der verbesserte maximale Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse (Rth(j-c)) von 0,48 °C/W eine einfachere thermische Auslegung mit kleinerem Kühlkörper. Verglichen mit bestehenden Bausteinen wird so etwa 26% weniger Verlustwärme erzeugt.

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