Power-FET GaN-FET für 1 MHz Schaltfrequenz und 1,2 kW mit 100 A am Ausgang

Von Gerd Kucera

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EPC offeriert seinen GaN-FET EPC2066 (40 V/1,1 mΩ) als deutlich kleinere und effizientere Silizium-MOSFET-Alternative für hochleistungsstarke Anwendungen mit begrenztem Platzangebot.

Charakteristisch für den Power-FET von EPC sind 40 V und 1,1 mΩ On-Widerstand.
Charakteristisch für den Power-FET von EPC sind 40 V und 1,1 mΩ On-Widerstand.
(Bild: EPC )

Die geringen Verluste und die geringe Baugröße des Power-FET mit der Bezeichnung EPC2066 machen ihn zum interessanten Schalter für die Sekundärseite von DC/DC-Wandlern mit 40 bis 60 V auf 12 V für neueste Server und KI. Er eigne sich auch für die sekundärseitige synchrone Gleichrichtung auf 12 V in Netzteilen und Silver-Box-Rechenzentrumsservern sowie für Motorantriebe mit hoher Leistung für 24 bis 32 V. Der Hochfrequenzbetrieb, der hohe Wirkungsgrad und die kleine Footprint von 13,9 mm2 sorgen zusammen für eine Leistungsdichte auf dem neuesten Stand der Technik, sagt EPC. Der EPC2066 ist Footprint-kompatibel mit EPCs Vorgängerprodukt der 4. Generation, dem EPC2024. Durch die verbesserte Kennzahl „Fläche x RDS(on)“ der 5. Generation verringere sich beim EPC2066 der Durchlasswiderstand bei gleicher Fläche um 27%. Das Bauteil sei eine geeignete Ergänzung zum kürzlich eingeführten EPC2071 für die LLC-DC/DC-Wandlung in Computing-Anwendungen mit hoher Leistungsdichte. Das zugehörige Referenz-Design-Board EPC9174 ist ein LLC-Wandler mit einer Leistung von 1,2 kW, 48-V-Eingang und 12-V-Ausgang. Es verfügt über den EPC2071 für die primärseitige Vollbrücke und den EPC2066 auf der Sekundärseite. Die GaN-FETs ermöglichen eine Schaltfrequenz von 1 MHz und eine Leistung von 1,2 kW bei einer Größe von 22,9 mm x 58,4 mm x 10 mm (Leistungsdichte 1472 W/in3). Der Spitzenwirkungsgrad beträgt laut EPC 97,3% bei 550 W und der Volllastwirkungsgrad 96,3% bei 12 V und einem Ausgangsstrom von 100 A.

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