100-V-eGaN-Leistungstransistor Für Stromwandler, Lidar-Systeme und andere Anwendungen

100 V, 23 mΩ und 1,1 mm² Flächenbedarf charakterisieren den Leistungstransistor mit einer Impulsleistung von 34 A in einem kleinen Chip-Scale-Gehäuse.

Anbieter zum Thema

Würth Elektronik eiSos GmbH & Co. KG

Der neue Baustein von Efficient Power Conversion eignet sich für Anwendungen wie 60-W/48V-Stromwandler, Lidar und LED-Beleuchtung. Zu den Anwendungen, die von den Bauteil-Spezifikationen profitieren, gehören laut EPC Leistungswandler mit 48-V-Eingang, die bis zu 60 W Leistung für Computer- und Telekommunikationssysteme, Time-of-Flight-Module (ToF) mit VSCEL-Lasern für Kameramodule, Laptops und Smartphones, LED-Beleuchtung und Klasse-D-Audio bereitstellen. Der 100-V-GaN-Transistor hat einem maximalen R_DS(on) von 23 mΩ sowie 34 A Pulsstrom und 1,1 mm² Flächenbedarf. Dazu gibt es das Entwicklungsboard EPC90141. Es ist eine Halbbrücke mit integrierten Gate-Treibern, die mit den 100-V-eGaN-FETs EPC2070 ausgestattet ist. Das 50,8 mm x 50,8 mm kleine Board ist für eine optimierte Schaltleistung ausgelegt und enthält alle wichtigen Komponenten für eine einfache Evaluierung des EPC2070.

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