TVS-Dioden Für Automobil-, Industrie- und Telekom-Anwendungen

Von Gerd Kucera

Die bidirektionalen und für Automobil-, Industrie- und Telekom-Anwendungen vorgesehene Dioden sind für Betriebstemperaturen bis +175 °C ausgelegt und bieten stabile Durchbruchspannungen von 11,1 bis 133 V.

TRANSZORB-TVS-Bauteile im SMC-(DO-214AB)-Gehäuse haben eine hohe Stoßleistungsfestigkeit bis 3 KW und minimale Leckströme von 1 µA.
TRANSZORB-TVS-Bauteile im SMC-(DO-214AB)-Gehäuse haben eine hohe Stoßleistungsfestigkeit bis 3 KW und minimale Leckströme von 1 µA.
(Bild: Vishay)

Vishay Intertechnology präsentiert eine neue Serie von bidirektionalen, oberflächenmontierbaren TRANSZORB-TVS-Bauteilen (TVS; Transient Voltage Suppressor) im SMC-(DO-214AB)-Gehäuse, vorgesehen für Automobil-, Industrie- und Telekom-Anwendungen. Die TVS der Serie SMC3KxxxCAHM3_A zeichnen sich durch eine hohe Stoßleistungsfestigkeit von 3 KW bei 10/1000 µs aus und erfüllen damit die Anforderungen des Standards ISO 16750-2 Pulse b, versichert Vishay. Außerdem bieten sie niedrige Leckströme von nur 1 µA bei Spannungen von 22 V bis 120 V und sind für hohe Betriebstemperaturen bis +175 °C spezifiziert. Diese für hochzuverlässige Anwendungen geeigneten TVS-Dioden von Vishay General Semiconductor sind AEC-Q101-qualifiziert und bieten extrem stabile Durchbruchspannungen (je nach Typ 11,1 V bis 133 V) über ihren gesamten Betriebstemperaturbereich (–55 bis +175 °C). Entwickelt wurden sie zum Schutz empfindlicher elektronischer Schaltungen gegen Spannungstransienten, wie sie beispielsweise durch das Schalten induktiver Lasten oder durch Blitzschlag verursacht werden können. Weitere Anwendungsfälle sind z.B. load dump protection in Automotive und singal line protection in Industrial und Telekom Systemen. Die TVS-Serie mit der Bezeichnung SMC3KxxxCAHM3_A umfasst 33 Typen mit Durchbruchspannungen von 10 V bis 120 V. Hervorzuheben sind ihre sehr kurzen Reaktionszeiten, ein geringer inkrementeller Durchlasswiderstand und ausgezeichnete Clamping-Eigenschaften bei Überspannung.

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