5-Jahre-Vertrag sichert die Versorgung mit Siliziumkarbid

Redakteur: Gerd Kucera

Eine Laufzeit von zunächst fünf Jahren hat der Liefervertrag für Siliziumkarbid-Boules, den Infineon Technologies und GT Advanced Technologies abgeschlossen haben. Dadurch sichert sich Infineon einen weiteren Zugang zum Grundmaterial für stark nachgefragte SiC-Produkte der Leistungselektronik.

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SiC-Einkristall: Um die Nachfrage nach geeigneten Leistungshalbleiten für u.a. E-Autos und 5G zu bedienen, forschen Wissenschaft und Industrie intensiv an Materialoptimierungen. Neben SiC, GaN und GaAs bleibt auch Si weiterhin im Fokus (Power2Power), denn es gibt noch ungenutztes Potenzial.
SiC-Einkristall: Um die Nachfrage nach geeigneten Leistungshalbleiten für u.a. E-Autos und 5G zu bedienen, forschen Wissenschaft und Industrie intensiv an Materialoptimierungen. Neben SiC, GaN und GaAs bleibt auch Si weiterhin im Fokus (Power2Power), denn es gibt noch ungenutztes Potenzial.
(Bild: Infineon)

Unter dem Markennamen CoolSiC vermarktet Infineon aktuell das nach eigenen Angaben branchenweit größte Portfolio von Leistungshalbleitern für Industrieanwendungen. „Wir beobachten eine stetig steigende Nachfrage nach SiC-basierten Schaltern, insbesondere für industrielle Anwendungen“, sagt Peter Wawer, President der Industrial Power Control Division von Infineon, „es zeigt sich darüber hinaus, dass der Automobilsektor rasch nachzieht. Der jetzt geschlossene Liefervertrag stellt sicher, dass wir die schnell wachsende Nachfrage unserer Kunden mit einer diversifizierten Zuliefererbasis bedienen können. Die hochwertigen Boules von GTAT sind eine zusätzliche Quelle für wettbewerbsfähige SiC-Wafer, die jetzt und in Zukunft die höchsten Materialstandards erfüllen werden. Das unterstützt unsere ehrgeizigen SiC-Wachstumspläne, für die wir unser Technologie-Knowhow und die Kernkompetenzen bei der Dünnwafer-Fertigung nutzen.“

Greg Knight, President und CEO von GT Advanced Technologies, ergänzt dazu: „Die weitere Verbreitung von SiC-Bauelementen hängt maßgeblich von der aggressiven Kostenreduzierung des Substrats ab. Die Vereinbarung ist hierfür ein wichtiger Schritt. GTAT ermöglicht Infineon, die proprietäre Dünnwafer-Technologie bei den Boules von GTAT anzuwenden. Damit wird eine sichere und qualitativ hochwertige Versorgung mit eigenen SiC-Wafern erreicht.“

Siliziumkarbid wird inzwischen verstärkt in den unterschiedlichsten Leistungselektronik-Applikationen eingesetzt, Tendenz steigend. Vor allem bei Photovoltaik-Umrichtern, in Industrie-Stromversorgungen sowie in der Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge. Hier kommen die Vorteile von SiC auf Systemebene gegenüber traditionellen Silizium-Lösungen deutlich zum Tragen. Weitere industrielle Applikationen wie unterbrechungsfreie Stromversorgungen und drehzahlgeregelte Antriebe nutzen immer stärker den III-V-Verbundwerkstoff SiC als neue Halbleitertechnologie. Ein enormes Potenzial für dessen Einsatz weisen auch Elektrofahrzeuge selbst auf. Wichtige Anwendungsbereiche sind dort etwa der Hauptumrichter für den Antriebsstrang und die Onboard-Batterieladeeinheit.

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